5Gb/s GaAs MSM/PHEMT单片光电子集成（OEIC）接收机前端
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-15页 |
| 第一章 引言 | 第15-28页 |
| ·研究背景及意义 | 第15-19页 |
| ·单片OEIC研究进展 | 第19-26页 |
| ·单片OEIC光发射机 | 第19-20页 |
| ·单片OEIC光接收机 | 第20-26页 |
| ·课题来源及本论文的主要工作 | 第26-28页 |
| ·课题来源 | 第26页 |
| ·本论文的主要工作 | 第26-28页 |
| 第二章 GaAs金属-半导体-金属光探测器 | 第28-75页 |
| ·GaAs材料特性 | 第28-30页 |
| ·MSM光探测器电流输运理论 | 第30-44页 |
| ·热电子发射理论 | 第30-32页 |
| ·MSM光探测器的热电子发射模型 | 第32-44页 |
| ·响应度 | 第44-46页 |
| ·带宽 | 第46-51页 |
| ·本征电容 | 第46-48页 |
| ·渡越时间 | 第48-51页 |
| ·SiN介质薄膜的电流传导机制 | 第51-54页 |
| ·MSM光探测器设计及流片 | 第54-70页 |
| ·材料、结构及工艺设计 | 第54-57页 |
| ·台面形成工艺 | 第57-66页 |
| ·台面形成工艺的重要性 | 第57-58页 |
| ·反应离子刻蚀形成MSM光探测器台面 | 第58-66页 |
| ·插指电极金属化及剥离工艺 | 第66-68页 |
| ·空气桥工艺 | 第68-70页 |
| ·MSM光探测器性能测试 | 第70-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第三章 GaAs PHEMT器件 | 第75-111页 |
| ·PHEMT器件发展历程 | 第75-78页 |
| ·PHEMT器件结构及工作模式 | 第78-81页 |
| ·PHEMT器件工艺流程设计及流片 | 第81-94页 |
| ·工艺流程及版图 | 第81-87页 |
| ·关键工艺 | 第87-94页 |
| ·源、漏欧姆接触 | 第87-90页 |
| ·肖特基势垒 | 第90-94页 |
| ·PHEMT器件电学参数 | 第94-107页 |
| ·电学参数在片测试系统 | 第94-96页 |
| ·I-V特性 | 第96-98页 |
| ·小信号交流特性 | 第98-104页 |
| ·噪声特性 | 第104-107页 |
| ·PHEMT器件偏置点 | 第107-109页 |
| ·本章小节 | 第109-111页 |
| 第四章 分布式前置放大器 | 第111-139页 |
| ·分布式前置放大器基本原理 | 第111-114页 |
| ·分布式前置放大器设计 | 第114-130页 |
| ·增益和带宽 | 第115-124页 |
| ·Cascode结构 | 第115-120页 |
| ·相位匹配 | 第120-122页 |
| ·传输线终端负载 | 第122-124页 |
| ·噪声 | 第124-126页 |
| ·时域性能 | 第126-128页 |
| ·版图设计及电磁场模拟 | 第128-130页 |
| ·分布式前置放大器工艺流程设计及流片 | 第130-135页 |
| ·分布式前置放大器性能测试 | 第135-138页 |
| ·本章小节 | 第138-139页 |
| 第五章 单片OEIC光接收机前端 | 第139-151页 |
| ·单片OEIC光接收机前端设计 | 第139-144页 |
| ·单片OEIC光接收机前端结构 | 第139-140页 |
| ·噪声分析 | 第140-142页 |
| ·电路模拟 | 第142-144页 |
| ·单片OEIC光接收机前端工艺流程设计及流片 | 第144-148页 |
| ·单片OEIC光接收机前端性能测试 | 第148-150页 |
| ·本章小结 | 第150-151页 |
| 第六章 结论 | 第151-153页 |
| 致谢 | 第153-154页 |
| 参考文献 | 第154-167页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第167-168页 |
