| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| ·前言 | 第9-10页 |
| ·器件尺寸缩小面临的挑战 | 第10-14页 |
| ·器件尺寸缩小对工艺技术的挑战与发展 | 第10-12页 |
| ·器件尺寸缩小带来的物理效应 | 第12-14页 |
| ·纳米 MOSFET 研究与发展趋势 | 第14-21页 |
| ·栅极介电层 | 第15-16页 |
| ·栅电极结构 | 第16-17页 |
| ·浅结的形成与自对准金属硅化物技术 | 第17-19页 |
| ·衬底工程 | 第19-21页 |
| ·本文主要工作 | 第21-23页 |
| 第2章 纳米 MOSFET 量子效应模型 | 第23-41页 |
| ·体硅量子效应模型 | 第23-33页 |
| ·三角势场近似与沟道载流子分布 | 第23-27页 |
| ·体硅量子效应对 MOS 阈值电压的影响 | 第27-31页 |
| ·体硅量子效应对 MOS 栅电容的影响 | 第31-33页 |
| ·多晶硅栅量子效应模型 | 第33-40页 |
| ·多晶硅栅量子效应模型 | 第34-36页 |
| ·多晶硅栅量子效应对 MOS 阈值电压及其栅电容的影响 | 第36-39页 |
| ·同时考虑体硅和多晶硅量子效应时的影响 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第3章 纳米 MOSFET 寄生电阻分析 | 第41-66页 |
| ·源漏寄生电阻对器件性能的影响 | 第41-43页 |
| ·寄生电阻模型 | 第43-60页 |
| ·长沟道寄生电阻模型 | 第43-48页 |
| ·积累层电阻 | 第44-45页 |
| ·扩展电阻 | 第45-46页 |
| ·深源漏结片电阻 | 第46页 |
| ·接触电阻 | 第46-48页 |
| ·短沟道寄生电阻模型 | 第48-58页 |
| ·栅极对源/漏极延伸区覆盖电阻 | 第49-52页 |
| ·源/漏延伸电阻 | 第52-54页 |
| ·深源漏极电阻 | 第54-55页 |
| ·硅化物-扩散接触电阻 | 第55-58页 |
| ·短沟道寄生电阻模型的改进 | 第58-60页 |
| ·器件参数对 MOS 器件寄生电阻影响分析 | 第60-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第4章 总结 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第77页 |