多孔硅表面状态与含能特性研究
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-28页 |
| ·多孔硅的研究现状 | 第8-14页 |
| ·多孔硅的形成机制 | 第8-10页 |
| ·多孔硅的发光机制 | 第10-14页 |
| ·多孔硅的制备方法 | 第14-19页 |
| ·制备多孔硅材料的方法 | 第14-17页 |
| ·关于多孔硅的理论和实验结论 | 第17-19页 |
| ·多孔硅的应用 | 第19-22页 |
| ·光致发光和电致发光器件方面的应用 | 第19-20页 |
| ·在化学传感器方面的应用 | 第20-21页 |
| ·医学领域的应用 | 第21页 |
| ·其它应用领域 | 第21-22页 |
| ·含能材料的研究现状 | 第22-24页 |
| ·含能材料分类 | 第22-23页 |
| ·含能材料的发展历程 | 第23-24页 |
| ·含能材料的研究现状 | 第24页 |
| ·多孔硅含能爆炸的研究进展 | 第24-26页 |
| ·小结 | 第26页 |
| ·本文研究内容 | 第26-28页 |
| 2 量子化学从头计算法及密度泛函理论 | 第28-36页 |
| ·概述 | 第28-29页 |
| ·从头计算方法 | 第29-32页 |
| ·分子轨道法的三个基本近似 | 第29-31页 |
| ·从头计算方法原理 | 第31-32页 |
| ·从头计算方法的误差 | 第32页 |
| ·密度泛函理论(DFT)基础 | 第32-36页 |
| 3 模型、基组和算法的选择 | 第36-40页 |
| ·模型的选择 | 第36-38页 |
| ·模型的选取原则和依据 | 第36页 |
| ·模型的选取 | 第36-38页 |
| ·实验数据的考虑 | 第38页 |
| ·基组的选择 | 第38-39页 |
| ·算法的选择 | 第39-40页 |
| 4 计算结果与讨论 | 第40-65页 |
| ·能隙与发光—模型的验证 | 第40-41页 |
| ·量子点模型与表面吸附 | 第41-50页 |
| ·氢原子的吸附 | 第41-43页 |
| ·氢分子的吸附 | 第43页 |
| ·氧原子的吸附 | 第43-45页 |
| ·氧分子的吸附 | 第45-47页 |
| ·硝酸根的吸附 | 第47-50页 |
| ·硅量子线模型与表面吸附 | 第50-54页 |
| ·量子线模型与能隙 | 第50-51页 |
| ·主链上有5 个硅四面体的硅链模型 | 第51-52页 |
| ·不同物质在量子线模型上的吸附 | 第52-54页 |
| ·多孔硅表面的的二维吸附模型 | 第54-56页 |
| ·复合吸附 | 第56-59页 |
| ·同时吸附氢氧的模型 | 第56-58页 |
| ·同时吸附氢氧和硝酸根的模型 | 第58-59页 |
| ·不同物质吸附的比较 | 第59-60页 |
| ·多孔硅表面的活性物质 | 第60-61页 |
| ·小结 | 第61-65页 |
| 5 结论与展望 | 第65-67页 |
| ·结论 | 第65页 |
| ·展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 附录 | 第73页 |
