摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-14页 |
第一章 绪论 | 第14-27页 |
·传感器实现的途径 | 第15-16页 |
·非集成化实现 | 第15页 |
·集成化实现 | 第15-16页 |
·混合实现 | 第16页 |
·研究背景 | 第16-20页 |
·温度传感器的分类 | 第16-19页 |
·温度传感器的发展 | 第19页 |
·CMOS 集成温度传感器的研究进展 | 第19-20页 |
·温度传感器的应用领域 | 第20-21页 |
·CMOS 温度传感器的几种设计方法 | 第21-22页 |
·国内外CMOS 温度传感器的发展、现状和未来 | 第22-23页 |
·本论文的主要工作 | 第23-25页 |
参考文献 | 第25-27页 |
第二章 MOSFET 的亚阈值温度模型与 CMOS 工艺中的 BJT 和电阻 | 第27-38页 |
·MOS 器件的亚阈值模型 | 第27-29页 |
·CMOS 工艺下的双极型晶体管(BJT) | 第29-35页 |
·衬底PNP 管V_(EB) 信号 | 第29-32页 |
·与绝对温度成正比的电压 | 第32-35页 |
·串联电阻 | 第33页 |
·电流增益变化 | 第33-34页 |
·大注入效应 | 第34页 |
·Early 效应 | 第34-35页 |
·CMOS 工艺下的电阻 | 第35-37页 |
参考文献 | 第37-38页 |
第三章 CMOS 晶体管的工艺实现 | 第38-61页 |
·NMOS | 第38-44页 |
·工艺流程 | 第38-42页 |
·仿真结果 | 第42-44页 |
·PMOS | 第44-48页 |
·工艺流程 | 第44-46页 |
·仿真结果 | 第46-48页 |
·CMOS | 第48-51页 |
·工艺流程 | 第48-51页 |
·金属反剥离工艺 | 第51-60页 |
·实验 | 第54页 |
·结果与讨论 | 第54-59页 |
·AZ5214E 光刻胶反转的原理 | 第55页 |
·工艺条件实验 | 第55-57页 |
·实验结果 | 第57-58页 |
·光刻胶倒台面的形成 | 第58-59页 |
·结论 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-61页 |
第四章 CMOS 模拟集成温度传感器电路设计 | 第61-78页 |
·正温度系数电流获取电路原理与设计 | 第61-64页 |
·PTAT 电流获取电路设计 | 第61-63页 |
·PTAT 电流获取电路工作原理 | 第63-64页 |
·电源电压对VOUT的影响 | 第64页 |
·运算放大器的设计 | 第64-65页 |
·ESD 保护 | 第65-66页 |
·启动电路 | 第66-68页 |
·误差分析 | 第68-69页 |
·模拟仿真结果 | 第69-71页 |
·流片测试结果 | 第71-72页 |
·电流镜的影响与改善 | 第72-75页 |
·基本电流镜 | 第72-74页 |
·共源共栅电流镜 | 第74-75页 |
·结束语 | 第75-76页 |
参考文献 | 第76-78页 |
第五章 CMOS 集成温度传感器的曲率校正电路的设计与研制 | 第78-86页 |
·基本原理 | 第78-80页 |
·曲率校正CMOS 温度传感器电路与仿真结果 | 第80-83页 |
·流片测试结果 | 第83-84页 |
·结论 | 第84-85页 |
参考文献 | 第85-86页 |
第六章 版图设计 | 第86-99页 |
·概述 | 第86页 |
·CSMC 流片 | 第86-92页 |
·采用的温度模拟信号产生电路 | 第86-87页 |
·设计规则 | 第87-88页 |
·最小宽度 | 第87-88页 |
·最小间距 | 第88页 |
·最小包围 | 第88页 |
·最小延伸 | 第88页 |
·版图设计 | 第88-92页 |
·电阻设计 | 第89页 |
·匹配器件的对称设计 | 第89-92页 |
·萨本栋微机电中心流片 | 第92-98页 |
·采用的温度模拟信号产生电路 | 第92-93页 |
·设计规则 | 第93-95页 |
·版图设计 | 第95-98页 |
参考文献 | 第98-99页 |
第七章 结论 | 第99-102页 |
·总结 | 第99-100页 |
·展望 | 第100-102页 |
作者攻读硕士学位期间发表与交流的论文 | 第102-103页 |
一、 在国内外期刊上正式发表的文章 | 第102页 |
二、 在全国学术会议上发表的文章 | 第102-103页 |
致谢 | 第103-104页 |