| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-8页 |
| ·研究背景 | 第6-7页 |
| ·课题研究内容 | 第7页 |
| ·论文总体结构 | 第7-8页 |
| 第二章 MOS器件的电离辐照效应及1/f噪声理论 | 第8-20页 |
| ·MOS器件的电离辐照损伤 | 第8-15页 |
| ·半导体的辐照效应 | 第8-10页 |
| ·二氧化硅中的电荷俘获 | 第10-12页 |
| ·Si/SiO_2界面的界面态 | 第12-15页 |
| ·MOS器件中的1/f噪声 | 第15-20页 |
| ·1/f噪声概述 | 第15页 |
| ·1/f噪声器件物理模型 | 第15-18页 |
| ·MOSFET中的1/f噪声 | 第18-20页 |
| 第三章 MOS器件辐照的1/f噪声响应 | 第20-34页 |
| ·MOS器件噪声测试平台 | 第20-25页 |
| ·噪声测试平台的构成 | 第20-22页 |
| ·MOSFET噪声测试偏置电路 | 第22-24页 |
| ·1/f噪声的偏置特性 | 第24-25页 |
| ·MOSFET电离辐照试验 | 第25-34页 |
| ·辐照后主要电参数的变化 | 第26-31页 |
| ·辐照后噪声参数的变化 | 第31-34页 |
| 第四章 MOSFET的1/f噪声与器件辐照损伤相关性的研究 | 第34-50页 |
| ·辐照前的1/f噪声与氧化层空穴俘获的关系 | 第34-39页 |
| ·辐照前的1/f噪声与辐照诱生界面陷阱数量之间的关系 | 第39-42页 |
| ·实验现象 | 第39-40页 |
| ·理论解释 | 第40-42页 |
| ·辐照前后栅氧化层陷阱能量分布变化的1/f噪声提取 | 第42-47页 |
| ·基于载流子数涨落和迁移率涨落的1/f噪声模型 | 第42-45页 |
| ·氧化层陷阱的能量分布 | 第45-47页 |
| ·1/f噪声作为 MOSFET抗辐照能力无损表征参量的可行性 | 第47-50页 |
| 第五章 研究工作总结 | 第50-52页 |
| ·论文成果 | 第50页 |
| ·展望 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 作者在读期间的研究成果 | 第58页 |
