射频磁控反应溅射法制备Y2O3薄膜的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-26页 |
| ·研究背景及意义 | 第10-13页 |
| ·金刚石的氧化现象和机理 | 第13-15页 |
| ·金刚石的抗氧化保护 | 第15-16页 |
| ·几种红外增透保护薄膜 | 第16-20页 |
| ·氮化铝(AlN)膜 | 第17-18页 |
| ·氧化铪(HfO_2)膜 | 第18页 |
| ·氧化镱(Yb_2O_3)膜 | 第18-19页 |
| ·氧化钇(Y_2O_3)薄膜 | 第19-20页 |
| ·氧化钇薄膜的制备方法 | 第20-22页 |
| ·氧化钇的结构和性能 | 第22-25页 |
| ·氧化钇的晶体结构 | 第22-23页 |
| ·氧化钇的物理性质 | 第23页 |
| ·氧化钇薄膜的高温抗氧化性能 | 第23页 |
| ·氧化钇薄膜的透过性能 | 第23-24页 |
| ·氧化钇薄膜的电学性质 | 第24-25页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第25-26页 |
| 第二章 膜系设计和分析 | 第26-40页 |
| ·膜系设计的基本理论 | 第26-31页 |
| ·膜系设计的一般原理 | 第26-28页 |
| ·膜系评价函数 | 第28页 |
| ·最优化方法 | 第28-30页 |
| ·增透保护膜系设计 | 第30-31页 |
| ·金刚石衬底上增透保护膜系的设计 | 第31-39页 |
| ·Y_2O_3膜系的设计 | 第31-35页 |
| ·膜系敏感因子分析 | 第35-38页 |
| ·膜系结构偏差分析 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 工艺实验方法和内容 | 第40-54页 |
| ·射频磁控反应溅射镀膜的基本原理 | 第40-45页 |
| ·溅射镀膜 | 第40-41页 |
| ·射频溅射 | 第41-42页 |
| ·磁控溅射 | 第42-43页 |
| ·反应溅射 | 第43-45页 |
| ·实验装置结构 | 第45-46页 |
| ·基本工艺参数的选择 | 第46-48页 |
| ·工艺流程 | 第48-49页 |
| ·薄膜性能的分析检测手段 | 第49-53页 |
| ·红外光学性能测量 | 第49页 |
| ·薄膜厚度的测定 | 第49-50页 |
| ·薄膜折射率的测定 | 第50-51页 |
| ·薄膜的成分分析 | 第51-52页 |
| ·薄膜的结构分析 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 实验结果与分析 | 第54-70页 |
| ·基本工艺参数对沉积速率的影响规律 | 第54-58页 |
| ·射频功率对薄膜沉积速率的影响 | 第54-55页 |
| ·O_2／Ar流量比对薄膜沉积速率的影响 | 第55-56页 |
| ·溅射气压对薄膜沉积速率的影响 | 第56-58页 |
| ·衬底温度对薄膜沉积速率的影响 | 第58页 |
| ·正交试验 | 第58-60页 |
| ·薄膜的成分分析 | 第60-64页 |
| ·薄膜的晶体结构 | 第64-67页 |
| ·薄膜的光学性能 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 结论 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 西北工业大学 学位论文知识产权声明书 | 第77页 |
| 西北工业大学学位论文原创性声明 | 第77页 |
