CdZnTe半导体探测器电极研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-29页 |
| ·研究背景 | 第10-11页 |
| ·CdZnTe射线探测器电极的研究进展 | 第11-15页 |
| ·国内对CdZnTe半导体探测器电极的研究进展 | 第12-13页 |
| ·国外对CdZnTe电极的研究进展 | 第13-15页 |
| ·金属与半导体的欧姆接触 | 第15-22页 |
| ·金属和半导体的功函数对形成欧姆接触的影响 | 第15-19页 |
| ·表面态对形成欧姆接触的影响 | 第19-22页 |
| ·欧姆接触电阻的理论计算分析及判断标准 | 第22-27页 |
| ·接触电阻的理论计算分析 | 第22-23页 |
| ·接触电阻的几种测量方法 | 第23-26页 |
| ·接触性能的判断标准 | 第26-27页 |
| ·CdZnTe探测器电极存在的问题 | 第27页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第二章 实验方法及内容 | 第29-46页 |
| ·直流二极磁控溅射镀膜的基本原理 | 第29-35页 |
| ·溅射镀膜 | 第29-30页 |
| ·二极溅射 | 第30-32页 |
| ·磁控溅射 | 第32-35页 |
| ·试验装置 | 第35-37页 |
| ·工艺过程 | 第37-41页 |
| ·实验材料 | 第37页 |
| ·工艺流程 | 第37-38页 |
| ·工艺参数选择 | 第38-40页 |
| ·热处理温度的选择 | 第40-41页 |
| ·薄膜的分析测试 | 第41-45页 |
| ·薄膜的厚度测量 | 第41-42页 |
| ·薄膜的成分分析 | 第42页 |
| ·薄膜的结构分析 | 第42-43页 |
| ·薄膜的应力分析 | 第43-44页 |
| ·薄膜的断面形貌 | 第44页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ曲线的测试 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第三章 Au、Cu／Ag、Al、Ti电极材料 | 第46-53页 |
| ·薄膜的组织和结构 | 第46-49页 |
| ·金属电极与CdZnTe晶体的接触性能 | 第49-52页 |
| ·CdZnTe晶体表面状况对Ⅰ-Ⅴ特性的影响 | 第49-50页 |
| ·不同电极材料与P型CdZnTe晶体的接触特性 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 Au与P型CdZnTe晶体的接触 | 第53-74页 |
| ·薄膜的沉积速率 | 第53-58页 |
| ·溅射功率对沉积速率的影响 | 第53-55页 |
| ·衬底温度对沉积速率的影响 | 第55-56页 |
| ·Ar气体流量对沉积速率的影响 | 第56-57页 |
| ·工作气压对沉积速率的影响 | 第57-58页 |
| ·Au薄膜的组织结构 | 第58-62页 |
| ·溅射功率对Au膜组织结构的影响 | 第58-60页 |
| ·衬底温度对Au膜组织结构的影响 | 第60-62页 |
| ·Au膜应力分析 | 第62-65页 |
| ·溅射功率对Au膜应力的影响 | 第62-63页 |
| ·衬底温度对Au与CdZnTe晶体接触应力的影响 | 第63-64页 |
| ·热处理对Au膜应力的影响 | 第64-65页 |
| ·Au薄膜电极的附着性能 | 第65-67页 |
| ·溅射功率对薄膜附着性能的影响 | 第66-67页 |
| ·衬底温度对薄膜附着性能的影响 | 第67页 |
| ·Au与CdZnTe晶体的接触性能 | 第67-73页 |
| ·溅射功率对Au与CdZnTe晶体接触性能的影响 | 第67-70页 |
| ·衬底温度对Au与CdZnTe晶体接触性能的影响 | 第70-71页 |
| ·热处理对Au与CdZnTe晶体接触性能的影响 | 第71-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 结论 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 独创性声明 | 第81页 |
| 知识产权保护声明 | 第81页 |
