| 第一章:绪 论 | 第1-24页 |
| ·半导体材料的发展 | 第6-9页 |
| ·GaN的基本性质 | 第9-17页 |
| ·GaN材料的生长 | 第17-20页 |
| ·外延生长技术 | 第20-24页 |
| 第二章 GaN气相外延生长 | 第24-37页 |
| ·HVPE外延生长GaN | 第25-30页 |
| ·HVPE系统的设计与实现 | 第30-36页 |
| ·本章小节 | 第36-37页 |
| 第三章 HVPE生长GaN结构特征和理论基础 | 第37-53页 |
| ·外延生长的GaN复合衬底 | 第38页 |
| ·GaN复合衬底的结构特征 | 第38-47页 |
| ·GaN薄膜中的位错讨论 | 第47-52页 |
| ·本章小节 | 第52-53页 |
| 第四章 试验生长和测量 | 第53-66页 |
| ·氮化物外延衬底的简要概述 | 第53-56页 |
| ·样品生长情况 | 第56-64页 |
| ·HVPE生长后的GaN在H2, HCl, NH3 and N2热处理 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-74页 |
| 摘要 | 第74-76页 |
| Abstract | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78页 |