| 第一章 引言 | 第1-11页 |
| 1．1 高功率量子阱激光器的应用前景 | 第7-8页 |
| 1．2 分子束外延（MBE）技术概述 | 第8-11页 |
| 第二章 应变量子阱半导体激光器光增益理论 | 第11-20页 |
| 2．1 量子尺寸效应和量子能级 | 第11-12页 |
| 2．2 应变、晶格失配与临界厚度 | 第12-15页 |
| 2．3 InGaAs/GaAs应变量子阱的光增益 | 第15-16页 |
| 2．4 InGaAs/GaAs应变量子阱的阈值电流密度 | 第16-20页 |
| 2．4．1 InGaAs/GaAs应变量子阱激光器的透明电流密度 | 第16-18页 |
| 2．4．2 阈值电流密度 | 第18-20页 |
| 第三章 940nm应变量子阱激光器的设计与分析 | 第20-29页 |
| 3．1 940nm激光器中的应变量子阱的设计 | 第20-22页 |
| 3．2 任意折射率分布波导结构分析模型 | 第22-24页 |
| 3．3 InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器结构优化设计 | 第24-29页 |
| 3．3．1 波导结构的优化设计 | 第24-26页 |
| 3．3．2 限制层结构的优化设计 | 第26-29页 |
| 第四章 V80H分子束外延（MBE）设备与材料测试分析技术 | 第29-35页 |
| 4．1 V80H分子束外延（MBE）设备 | 第29-33页 |
| 4．1．1 分子束炉及快门 | 第30-32页 |
| 4．1．2 反射式高能电子衍射仪（RHEED） | 第32-33页 |
| 4．2 材料分析测试技术 | 第33-35页 |
| 4．2．1 光荧光谱（PL谱） | 第33页 |
| 4．2．2 X射线双晶衍射技术 | 第33页 |
| 4．2．3 电化学C—V测试 | 第33-34页 |
| 4．2．4 HALL效应测试 | 第34页 |
| 4．2．5 场发射扫描电镜 | 第34-35页 |
| 第五章 InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱材料的分子束外延生长 | 第35-53页 |
| 5．1 分子束外延生长过程 | 第35-39页 |
| 5．2 分子束外延（MBE）工艺简述 | 第39-40页 |
| 5．3 GaAs、GaAlAs单晶材料的MBE生长 | 第40-49页 |
| 5．3．1 衬底的制备与选取 | 第40-41页 |
| 5．3．2 原子表面再构 | 第41-43页 |
| 5．3．3 GaAs GaAlAs单晶材料的生长 | 第43-49页 |
| 5．4 掺杂研究 | 第49-51页 |
| 5．5 量子阱与超晶格结构的生长 | 第51-53页 |
| 5．5．1 GaAs/GaAlAs量子阱 | 第51页 |
| 5．5．2 GaAs/GaAlAs多周期量子阱 | 第51-53页 |
| 第六章 InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱材料的MBE生长及器件特性 | 第53-59页 |
| 6．1 InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的生长 | 第53-55页 |
| 6．2 激光器外延材料的检测和分析 | 第55-57页 |
| 6．2．1 光致荧光谱（PL） | 第55-56页 |
| 6．2．2 电化学C—V测试 | 第56-57页 |
| 6．2．3 双晶X射线衍射测量 | 第57页 |
| 6．3 高功率InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器制备后工艺流程 | 第57-58页 |
| 6．4 器件特性 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
