不同气氛下C-Si系复合材料的制备机理及性能
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-17页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·C-SI-N 三元系统 | 第8-16页 |
| ·碳化硅 | 第8-11页 |
| ·碳化硅的晶体结构 | 第8-9页 |
| ·碳化硅的物理和化学性质 | 第9-10页 |
| ·碳化硅的制备方法 | 第10-11页 |
| ·氮化硅 | 第11-16页 |
| ·氮化硅的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·氮化硅粉末的合成 | 第12-13页 |
| ·氮化硅陶瓷的性能 | 第13-16页 |
| ·本课题研究目的和内容 | 第16-17页 |
| ·研究目的 | 第16页 |
| ·研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 实验原料及设备 | 第17-21页 |
| ·实验原料 | 第17-18页 |
| ·炭黑 | 第17页 |
| ·硅 | 第17页 |
| ·焦炭 | 第17-18页 |
| ·结合剂 | 第18页 |
| ·分散剂 | 第18页 |
| ·实验设备 | 第18-21页 |
| ·烧成设备 | 第18页 |
| ·分析设备 | 第18-19页 |
| ·X 射线衍射分析仪（XRD） | 第19页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第19页 |
| ·其它设备 | 第19-21页 |
| 第三章 埋碳条件下制备C-SI 系复合材料 | 第21-39页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·实验方法 | 第21-22页 |
| ·原料配比 | 第21页 |
| ·实验过程 | 第21-22页 |
| ·物相分析 | 第22-34页 |
| ·试样A1、A2 | 第22-25页 |
| ·试样A3、A4 | 第25-28页 |
| ·试样A5、A6、A7、A8 | 第28-33页 |
| ·试样A9 | 第33-34页 |
| ·埋碳条件下的物相变化 | 第34页 |
| ·反应过程分析 | 第34-37页 |
| ·反应机理 | 第37页 |
| ·合成试样的SEM 分析 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 氮气气氛下制备C-SI 系复合材料 | 第39-57页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·实验方法 | 第39-40页 |
| ·原料配比 | 第39页 |
| ·实验过程 | 第39-40页 |
| ·物相分析 | 第40-52页 |
| ·试样X1、X2 | 第40-42页 |
| ·试样X3、X4 | 第42-45页 |
| ·试样X5 | 第45-47页 |
| ·试样X6、X7、X8 | 第47-50页 |
| ·试样X9 | 第50-52页 |
| ·氮气气氛下的物相变化 | 第52页 |
| ·反应过程分析 | 第52-55页 |
| ·反应机理 | 第55页 |
| ·合成试样的SEM 分析 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 C-SI 系复合材料的性能及结瘤研究 | 第57-66页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·实验方法 | 第57-58页 |
| ·原料配比 | 第57页 |
| ·实验过程 | 第57-58页 |
| ·XRD 分析 | 第58-60页 |
| ·埋碳条件 | 第58-59页 |
| ·氮气气氛 | 第59-60页 |
| ·性能研究 | 第60-63页 |
| ·气孔率与硅含量的关系 | 第61页 |
| ·体积密度与硅含量的关系 | 第61-62页 |
| ·耐压强度与硅含量的关系 | 第62-63页 |
| ·性能研究小结 | 第63页 |
| ·结瘤研究 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 总结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
