IC制程Cu抛光液实验研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·研究背景 | 第8-10页 |
| ·IC 制程CMP 及其抛光液研究的的国内外状况 | 第10-13页 |
| ·化学机械抛光存在的问题 | 第13-14页 |
| ·研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 抛光液的配制方法与试验用材 | 第16-30页 |
| ·铜CMP 材料去除原理、影响抛光质量的因素 | 第16-18页 |
| ·铜化学机械抛光的材料去除原理 | 第16-17页 |
| ·抛光效果的影响因素 | 第17-18页 |
| ·配制抛光液的方法 | 第18-20页 |
| ·选择成分 | 第18-20页 |
| ·抛光液成分的优化 | 第20页 |
| ·评价抛光液性能的主要指标 | 第20-21页 |
| ·分散度 | 第20页 |
| ·基片表面精度 | 第20页 |
| ·材料去除率 | 第20-21页 |
| ·试验用材 | 第21-30页 |
| ·试验设备 | 第21-28页 |
| ·试件与药品 | 第28-30页 |
| 第三章 抛光液主要成分的试验选择 | 第30-40页 |
| ·磨料对抛光效果的影响 | 第30-33页 |
| ·试验安排 | 第30页 |
| ·试验结果与讨论 | 第30-33页 |
| ·氧化剂对抛光效果的影响 | 第33-35页 |
| ·氧化剂作用 | 第33页 |
| ·试验条件 | 第33-34页 |
| ·结果讨论 | 第34-35页 |
| ·有机碱对抛光效果的影响 | 第35-40页 |
| ·有机碱作用 | 第35-36页 |
| ·试验安排 | 第36页 |
| ·结果讨论 | 第36-40页 |
| 第四章 抛光液性能优化 | 第40-52页 |
| ·组分复配次序稳定性的研究 | 第40-41页 |
| ·抛光盘转速优化 | 第41-45页 |
| ·试验材料与方法 | 第41页 |
| ·结果与讨论 | 第41-42页 |
| ·雾化抛光与传统抛光方式比较的优化设计 | 第42页 |
| ·比较试验的结果与分析 | 第42-45页 |
| ·抛光液组分优化 | 第45-52页 |
| ·方案选择 | 第45页 |
| ·正交优化试验 | 第45-46页 |
| ·结果分析 | 第46-52页 |
| 第五章 结论与展望 | 第52-54页 |
| ·结论 | 第52-53页 |
| ·创新点 | 第53页 |
| ·论文不足之处 | 第53页 |
| ·展望 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第60页 |
