| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·课题的研究背景 | 第7-10页 |
| ·课题来源 | 第7页 |
| ·研究背景 | 第7-8页 |
| ·化学机械抛光技术（CMP）及其影响因素 | 第8-9页 |
| ·CMP 技术的发展和存在的问题 | 第9-10页 |
| ·CMP 材料去除机理的国内外研究现状 | 第10-15页 |
| ·材料连续去除机理 | 第11-13页 |
| ·非连续去除机理（原子/分子去除机理） | 第13-15页 |
| ·CMP 中机械作用对化学反应的控制关系的研究现状及分析 | 第15-16页 |
| ·本课题的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 单晶硅在干摩擦和水润滑条件下的摩擦磨损性能研究 | 第17-35页 |
| ·概述 | 第17-21页 |
| ·单晶硅的性质和力学性能 | 第17-18页 |
| ·材料磨损机理 | 第18-19页 |
| ·硅片表面的抛光技术分类 | 第19-20页 |
| ·硅片表面CMP 动力学过程分析 | 第20-21页 |
| ·试验方法 | 第21-25页 |
| ·实验原料和试剂 | 第21页 |
| ·实验设备与仪器 | 第21-24页 |
| ·实验方法 | 第24-25页 |
| ·机械作用对摩擦磨损性能影响 | 第25-34页 |
| ·载荷对摩擦系数与磨损率的影响 | 第25-29页 |
| ·滑动速度对摩擦系数和磨损率的影响 | 第29-33页 |
| ·磨损表面分析 | 第33-34页 |
| ·单次磨痕深度分析 | 第34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 单晶硅在H_20_2介质和静态H_20_2腐蚀条件下的摩擦磨损性能研究 | 第35-49页 |
| ·单晶硅的微观机械和摩擦磨损性能研究的意义 | 第35-36页 |
| ·氧化剂为H_20_2 的CMP 抛光液 | 第35页 |
| ·单晶硅片加工表面层损伤 | 第35-36页 |
| ·单晶硅CMP 过程的摩擦性能研究 | 第36页 |
| ·试验方法 | 第36-37页 |
| ·实验原料及设备 | 第36页 |
| ·实验方法 | 第36-37页 |
| ·实验结果及分析 | 第37-46页 |
| ·载荷对摩擦系数与磨损率的影响 | 第37-41页 |
| ·滑动速度对摩擦系数和磨损率的影响 | 第41-45页 |
| ·磨损表面分析 | 第45-46页 |
| ·单次磨痕深度分析 | 第46页 |
| ·本章小结 | 第46-49页 |
| 第四章 化学机械抛光中机械作用对化学反应的控制影响规律 | 第49-59页 |
| ·载荷对摩擦磨损性能的影响 | 第49-52页 |
| ·摩擦系数 | 第49页 |
| ·磨损率 | 第49-50页 |
| ·磨损表面分析 | 第50-52页 |
| ·滑动速度对摩擦磨损性能的影响 | 第52-55页 |
| ·摩擦系数 | 第52-53页 |
| ·磨损率 | 第53页 |
| ·磨损表面分析 | 第53-55页 |
| ·AFM 微观划痕试验 | 第55-59页 |
| ·实验方法 | 第56页 |
| ·结果与分析 | 第56-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| ·总结 | 第59-60页 |
| ·创新点 | 第60页 |
| ·展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 附录 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第67页 |
