| 中文摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第15-38页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第15-17页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第17-25页 |
| 1.3 主要研究内容及创新点 | 第25-27页 |
| 1.3.1 主要研究内容 | 第25-26页 |
| 1.3.2 创新点 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-38页 |
| 第二章 圆台形TSV的电容表达式与电特性分析 | 第38-58页 |
| 2.1 引言 | 第38-39页 |
| 2.2 电容闭合表达式 | 第39-43页 |
| 2.2.1 介质层电容表达式 | 第39-42页 |
| 2.2.2 衬底电容表达式 | 第42-43页 |
| 2.3 表达式的验证与结果 | 第43-49页 |
| 2.3.1 介质层电容表达式的验证 | 第43-46页 |
| 2.3.2 衬底电容表达式的验证 | 第46-47页 |
| 2.3.3 一对信号-地T-TSV的等效电路模型 | 第47-49页 |
| 2.4 T-TSV的电特性及与C-TSV的对比 | 第49-54页 |
| 2.4.1 一对信号-地T-TSV的延迟 | 第50页 |
| 2.4.2 T-TSV阵列的近端和远端串扰 | 第50-53页 |
| 2.4.3 邻近TSV影响的讨论 | 第53-54页 |
| 2.5 本章小结 | 第54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 第三章 部分同轴硅通孔结构 | 第58-71页 |
| 3.1 引言 | 第58-59页 |
| 3.2 部分同轴TSV结构 | 第59页 |
| 3.3 部分同轴TSV传输特性 | 第59-64页 |
| 3.4 部分同轴TSV的衬底噪声抑制性能 | 第64-66页 |
| 3.5 可行的加工方法 | 第66-67页 |
| 3.6 结论 | 第67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 第四章 填充碳纳米管束的屏蔽硅通孔电模型与传输特性研究 | 第71-92页 |
| 4.1 引言 | 第71-72页 |
| 4.2 MS-TSV的电模型 | 第72-75页 |
| 4.2.1 MS-TSV的结构 | 第72-73页 |
| 4.2.2 MS-TSV的电阻 | 第73-75页 |
| 4.3 MS-TSV的电特性 | 第75-80页 |
| 4.3.1 正向传输系数|S21| | 第76-78页 |
| 4.3.2 传播常数 | 第78-79页 |
| 4.3.3 时间常数 | 第79-80页 |
| 4.4 σ_(MWCNTB)填充密度的参数分析 | 第80-82页 |
| 4.4.1 MWCNTB电导率参数分析 | 第80页 |
| 4.4.2 MWCNTB的填充密度与电导率 | 第80-82页 |
| 4.5 量子电容对填充CNT束的屏蔽型TSV(S-TSV)的传输特性影响 | 第82-88页 |
| 4.5.1 S-TSV的结构及等效电模型 | 第82-84页 |
| 4.5.2 量子电容对介质层填充BCB的S-TSV性能的影响 | 第84-86页 |
| 4.5.3 量子电容对介质层填充硅时S-TSV性能的影响 | 第86-88页 |
| 4.6 MS-TSV的工艺流程 | 第88页 |
| 4.7 结论 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-92页 |
| 第五章 考虑温度效应的填充MWCNTB的TSV传输特性研究 | 第92-112页 |
| 5.1 引言 | 第92-93页 |
| 5.2 考虑温度效应的一对MWCNTB-TSV的电模型 | 第93-97页 |
| 5.3 MWCNTB-TSV的传输特性 | 第97-108页 |
| 5.3.1 传播常数分析 | 第98-103页 |
| 5.3.2 传输特性 | 第103-106页 |
| 5.3.3 串扰与延时 | 第106-108页 |
| 5.4 结论 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-112页 |
| 第六章 总结与展望 | 第112-115页 |
| 6.1 总结 | 第112-113页 |
| 6.2 工作展望 | 第113-115页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第115-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
| 个人简况及联系方式 | 第118-120页 |
