| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第14-16页 |
| 缩略语对照表 | 第16-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-33页 |
| 1.1 前言 | 第21-23页 |
| 1.2 毫米波GaN HEMT器件国内外发展历史及研究现状 | 第23-27页 |
| 1.2.1 毫米波GaN HEMT器件国际方面研究历史与现状 | 第23-26页 |
| 1.2.2 毫米波GaN HEMT器件国内发展现状 | 第26-27页 |
| 1.3 毫米波GaN HEMT器件存在的问题 | 第27-31页 |
| 1.3.1 短沟道效应 | 第27-28页 |
| 1.3.2 寄生效应 | 第28-29页 |
| 1.3.3 频散效应 | 第29-30页 |
| 1.3.4 高电场效应 | 第30-31页 |
| 1.4 课题研究意义 | 第31-32页 |
| 1.5 论文研究内容与安排 | 第32-33页 |
| 第二章 毫米波GaN HEMT器件及工艺基础研究 | 第33-57页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT器件材料结构 | 第33-36页 |
| 2.1.2 AlGaN/GaN HEMT器件外延材料 | 第34-35页 |
| 2.1.3 AlGaN/InGaN/AlN背势垒层研究 | 第35-36页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT器件基础 | 第36-39页 |
| 2.2.1 AlGaN/GaNHEMT器件工作原理 | 第36-38页 |
| 2.2.2 AlGaN/GaNHEMT器件RF分析 | 第38-39页 |
| 2.3 毫米波GaN HEMT器件物理结构 | 第39-41页 |
| 2.4 毫米波GaN HEMT器件工艺研究 | 第41-55页 |
| 2.4.1 欧姆接触技术 | 第41-46页 |
| 2.4.2 凹槽栅工艺研究 | 第46-47页 |
| 2.4.3 表面钝化技术 | 第47-53页 |
| 2.4.4 毫米波器件工艺流程 | 第53-55页 |
| 2.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 第三章 毫米波AlGaN/GaN HEMT器件研制 | 第57-87页 |
| 3.1 毫米波AlGaN/GaN HEMT器件研制 | 第57-63页 |
| 3.1.2 直流特性 | 第58-59页 |
| 3.1.3 电流崩塌测试 | 第59-60页 |
| 3.1.4 小信号频率特性 | 第60-62页 |
| 3.1.5 大信号load-pull功率测试 | 第62-63页 |
| 3.2 毫米波Fin-FET器件研制 | 第63-71页 |
| 3.2.1 Fin-FET器件TCAD仿真研究 | 第64-66页 |
| 3.2.2 Fin-FET器件的外延材料结构与工艺实现 | 第66-67页 |
| 3.2.3 器件测试与分析 | 第67-71页 |
| 3.3 毫米波场板结构器件研制 | 第71-80页 |
| 3.3.1 凹槽悬浮场板器件结构仿真 | 第72-75页 |
| 3.3.2 凹槽悬浮场板器件制备 | 第75-76页 |
| 3.3.3 器件测试与分析 | 第76-80页 |
| 3.4 毫米波器件新型钝化技术 | 第80-85页 |
| 3.4.1 器件结构与工艺 | 第80-81页 |
| 3.4.2 器件直流测试 | 第81-83页 |
| 3.4.3 机理分析 | 第83-85页 |
| 3.5 本章小结 | 第85-87页 |
| 第四章 毫米波器件模型研究 | 第87-115页 |
| 4.1 器件模型基本理论 | 第87-91页 |
| 4.1.1 器件模型分类 | 第87-89页 |
| 4.1.2 毫米波GaN HEMT器件建模的技术难点 | 第89-90页 |
| 4.1.3 毫米波器件建模流程 | 第90-91页 |
| 4.2 毫米波GaN HEMT器件小信号模型 | 第91-103页 |
| 4.2.1 GaN HEMT器件小信号等效拓扑结构 | 第91-93页 |
| 4.2.2 小信号参数提取过程 | 第93-102页 |
| 4.2.3 小信号模型器件验证 | 第102-103页 |
| 4.3 毫米波GaN器件大信号建模 | 第103-110页 |
| 4.3.1 GaN HEMT器件大信号等效拓扑结构 | 第104-105页 |
| 4.3.2 I-V特性测试与拟合 | 第105-107页 |
| 4.3.3 电容特性测试与拟合 | 第107-109页 |
| 4.3.4 频散子电路调整S参数 | 第109-110页 |
| 4.4 模型的器件验证 | 第110-113页 |
| 4.5 本章小结 | 第113-115页 |
| 第五章 MMIC电路研究与测试 | 第115-133页 |
| 5.1 MMIC电路设计基础 | 第115-120页 |
| 5.1.1 MMIC电路设计流程 | 第115-116页 |
| 5.1.2 AlGaN/GaN HEMT有源器件 | 第116-118页 |
| 5.1.3 无源器件 | 第118-120页 |
| 5.2 MMIC电路设计与仿真 | 第120-128页 |
| 5.2.1 稳定性分析 | 第121页 |
| 5.2.2 Load-pull最佳阻抗值获取 | 第121-122页 |
| 5.2.3 电路匹配设计 | 第122-126页 |
| 5.2.4 电磁场仿真 | 第126-128页 |
| 5.3 GaN MMIC电路测试分析 | 第128-131页 |
| 5.4 本章小结 | 第131-133页 |
| 第六章 总结与展望 | 第133-137页 |
| 6.1 主要成果 | 第133-134页 |
| 6.2 存在的问题 | 第134-135页 |
| 6.3 展望 | 第135-137页 |
| 参考文献 | 第137-149页 |
| 致谢 | 第149-151页 |
| 作者简介 | 第151-153页 |
