掺氮氧化锌的光电特性及其在薄膜晶体管中的应用研究
| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 目次 | 第10-12页 |
| 1 绪论 | 第12-15页 |
| 2 文献综述 | 第15-23页 |
| ·ZnO材料的基本性质 | 第15-18页 |
| ·ZnO的氮掺杂 | 第18-20页 |
| ·ZnO的光致发光 | 第20-21页 |
| ·ZnO的拉曼散射 | 第21-22页 |
| ·ZnO基薄膜晶体管 | 第22-23页 |
| 3 ZnO基薄膜材料的制备与表征 | 第23-31页 |
| ·射频磁控溅射镀膜 | 第23-25页 |
| ·薄膜材料的评价表征 | 第25-31页 |
| 4 掺氮ZnO薄膜的光致发光 | 第31-36页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·实验 | 第31-32页 |
| ·结果与讨论 | 第32-36页 |
| 5 掺氮ZnO薄膜的拉曼散射 | 第36-52页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·实验 | 第37-38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-52页 |
| 6 掺氮ZnO在薄膜晶体管中的应用 | 第52-65页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·薄膜晶体管器件的结构与特性 | 第53-58页 |
| ·实验 | 第58-59页 |
| ·结果与讨论 | 第59-65页 |
| 7 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-75页 |
| 附录 | 第75页 |
| A 半导体带间光跃迁的基本理论 | 第75-85页 |
| A.1 允许的带间直接跃迁 | 第76-77页 |
| A.2 半导体的发光光谱和辐射复合 | 第77-79页 |
| A.3 导带-价带间直接辐射复合跃迁 | 第79页 |
| A.4 激子辐射复合发光 | 第79-82页 |
| A.5 非本征辐射复合发光 | 第82-85页 |
| B 晶体拉曼散射的基本理论 | 第85-96页 |
| B.1 拉曼散射的宏观理论 | 第86-90页 |
| B.2 拉曼散射的量子理论 | 第90-92页 |
| B.3 拉曼选择定则 | 第92-93页 |
| B.4 束缚电子和束缚空穴的拉曼散射 | 第93页 |
| B.5 共振拉曼散射 | 第93-96页 |
| 作者简历 | 第96页 |
