MMIC中电感的设计及模型研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第15-16页 |
| 1.1.1 射频集成电路的发展 | 第15-16页 |
| 1.1.2 片上螺旋电感在射频电路中的重要性 | 第16页 |
| 1.2 片上螺旋电感研究现状 | 第16-19页 |
| 1.3 论文的主要内容及组织结构 | 第19-21页 |
| 第二章 片上螺旋电感的理论分析基础 | 第21-35页 |
| 2.1 电感在电路中的应用与发展 | 第21页 |
| 2.2 片上螺旋电感的主要实现技术 | 第21-22页 |
| 2.3 片上螺旋电感的主要结构 | 第22-25页 |
| 2.4 片上螺旋电感的主要性能指标 | 第25-29页 |
| 2.4.1 电感量 | 第25-27页 |
| 2.4.2 自谐振频率 | 第27-28页 |
| 2.4.3 品质因数 | 第28-29页 |
| 2.5 片上螺旋电感的损耗机制 | 第29-34页 |
| 2.5.1 导体损耗 | 第29-32页 |
| 2.5.2 介质损耗 | 第32-34页 |
| 2.5.3 辐射损耗 | 第34页 |
| 2.6 小结 | 第34-35页 |
| 第三章 片上螺旋电感的参数化等效模型及参数提取 | 第35-47页 |
| 3.1 传统单π物理模型 | 第35页 |
| 3.2 改进式单π物理模型 | 第35-43页 |
| 3.2.1 片上螺旋电感HFSS建模 | 第37页 |
| 3.2.2 模型中元件参数提取 | 第37-41页 |
| 3.2.3 单π模型的验证与分析 | 第41-43页 |
| 3.3 传统双π物理模型 | 第43页 |
| 3.4 改进式双π物理模型 | 第43-46页 |
| 3.4.1 模型中元件参数的提取 | 第44-45页 |
| 3.4.2 双π模型的验证与分析 | 第45-46页 |
| 3.5 小结 | 第46-47页 |
| 第四章 片上螺旋电感的性能仿真分析 | 第47-57页 |
| 4.1 仿真软件简介 | 第47页 |
| 4.2 电感结构参数对电感性能的影响 | 第47-54页 |
| 4.2.1 电感线圈外径D对电感性能的影响 | 第49-50页 |
| 4.2.2 电感线圈宽度W对电感性能的影响 | 第50-51页 |
| 4.2.3 电感线圈匝数N对电感性能的影响 | 第51-53页 |
| 4.2.4 电感线圈间距S对电感性能的影响 | 第53-54页 |
| 4.2.5 电感线圈厚度t对电感性能的影响 | 第54页 |
| 4.3 GaAs螺旋电感设计优化规则 | 第54-56页 |
| 4.3.1 GaAs片上螺旋电感的设计流程 | 第54-55页 |
| 4.3.2 设计GaAs片上螺旋电感的考虑因素 | 第55页 |
| 4.3.3 GaAs片上螺旋电感优化准则 | 第55-56页 |
| 4.4 小结 | 第56-57页 |
| 第五章 片上螺旋电感在低噪声放大器中的应用 | 第57-65页 |
| 5.1 GaAs pHEMT工艺简介 | 第57-58页 |
| 5.2 LNA拓扑结构 | 第58-60页 |
| 5.3 稳定性分析 | 第60-61页 |
| 5.4 噪声系数 | 第61-62页 |
| 5.5 S参数 | 第62-63页 |
| 5.6 线性动态范围和P1d B | 第63页 |
| 5.7 本章小结 | 第63-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 6.1 论文总结 | 第65-66页 |
| 6.2 工作展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 作者简介 | 第73-74页 |
