| 本论文的创新点 | 第5-8页 |
| 摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-30页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 维纳米材料 | 第14-15页 |
| 1.3 一维半导体纳米线的可控制备 | 第15-17页 |
| 1.4 光电探测器 | 第17-26页 |
| 1.4.1 光电探测器简介 | 第17-19页 |
| 1.4.2 光电探测器的特性参数 | 第19-22页 |
| 1.4.3 一维半导体纳米线光电探测器的研究现状 | 第22-26页 |
| 1.5 本论文的选题意义和主要研究内容 | 第26-29页 |
| 1.5.1 本论文研究的目的和意义 | 第26-27页 |
| 1.5.2 本论文的主要研究内容 | 第27-29页 |
| 1.6 本章小结 | 第29-30页 |
| 第二章 铁电局域场增强InP纳米线可见-近红外光电探测器 | 第30-49页 |
| 2.1 引言 | 第30-31页 |
| 2.2 实验过程 | 第31-33页 |
| 2.2.1 InP纳米线的制备与表征 | 第31-32页 |
| 2.2.2 铁电侧栅单根InP纳米线光电探测器的制备与性能测试 | 第32-33页 |
| 2.3 InP纳米线的表征 | 第33-35页 |
| 2.4 单根InP纳米线背栅FET的电学与光电性能研究 | 第35-37页 |
| 2.5 铁电侧栅单根InP纳米线光电探测器的光电性能研究 | 第37-47页 |
| 2.5.1 铁电局域场增强纳米线FET的极化机制 | 第37-40页 |
| 2.5.2 铁电侧栅单根InP纳米线光电探测器的光响应机制 | 第40-41页 |
| 2.5.3 铁电侧栅单根InP纳米线光电探测器的光响应特性测试 | 第41-47页 |
| 2.6 本章小结 | 第47-49页 |
| 第三章 铁电侧栅CdS纳米线紫外-可见光光电探测器 | 第49-68页 |
| 3.1 引言 | 第49-50页 |
| 3.2 CdS纳米线的生长及其光电探测器的制备与测试 | 第50-51页 |
| 3.3 CdS纳米线的表征 | 第51-52页 |
| 3.4 单根CdS纳米线背栅FET的电学与光电性能 | 第52-53页 |
| 3.5 铁电侧栅单根CdS纳米线光电探测器的光电性能研究 | 第53-66页 |
| 3.5.1 单根CdS纳米线光电探测器的扫描光电流测试 | 第53-54页 |
| 3.5.2 铁电侧栅单根CdS纳米线紫外光电探测器的光电性能研究 | 第54-63页 |
| 3.5.3 铁电侧栅单根CdS纳米线可见光光电探测器的光电性能研究 | 第63-66页 |
| 3.6 本章小结 | 第66-68页 |
| 第四章 p型SnX(X=Se,S)纳米线可见-近红外光电探测器 | 第68-86页 |
| 4.1 引言 | 第68-69页 |
| 4.2 SnX(X=Se,S)纳米线的合成及其光电探测器的制备与测试 | 第69-70页 |
| 4.3 SnSe纳米线的表征及其电学和光电性能研究 | 第70-79页 |
| 4.3.1 SnSe纳米线的表征 | 第70-71页 |
| 4.3.2 单根SnSe纳米线FET的电学性能 | 第71-72页 |
| 4.3.3 单根SnSe纳米线光电探测器的光电性能研究 | 第72-79页 |
| 4.4 SnS纳米线的表征及其电学和光电性能研究 | 第79-85页 |
| 4.4.1 SnS纳米线的表征 | 第79-80页 |
| 4.4.2 单根SnS纳米线FET的电学性能 | 第80页 |
| 4.4.3 单根SnS纳米线光电探测器的光电性能研究 | 第80-85页 |
| 4.5 本章小结 | 第85-86页 |
| 第五章 总结与展望 | 第86-89页 |
| 5.1 主要研究成果与结论 | 第86-88页 |
| 5.2 后续工作与展望 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-99页 |
| 攻读博士学位期间发表论文目录 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
