基于导电细丝理论的忆阻器随机性模型研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2.1 忆阻器阻变模型研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2.2 忆阻器统计模型研究现状 | 第11页 |
| 1.3 论文开展主要工作 | 第11-13页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第13-15页 |
| 第二章 忆阻器确定性模型研究 | 第15-25页 |
| 2.1 忆阻器数学定义 | 第15-17页 |
| 2.2 忆阻器基本操作及阻变类型 | 第17-19页 |
| 2.3 忆阻器数学模型 | 第19-24页 |
| 2.3.1 边界迁移模型 | 第19-21页 |
| 2.3.2 导电细丝模型 | 第21-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 导电细丝型忆阻器随机性模型研究 | 第25-49页 |
| 3.1 马尔可夫链介绍 | 第25-29页 |
| 3.1.1 离散时间马尔可夫链 | 第25-26页 |
| 3.1.2 齐次马尔可夫链状态的分类 | 第26-29页 |
| 3.2 忆阻器的马尔可夫链模型基本框架 | 第29-34页 |
| 3.2.1 忆阻器的随机性模型定义 | 第31-33页 |
| 3.2.2 基于马尔可夫链的忆阻器随机性模型 | 第33-34页 |
| 3.3 基于导电细丝的忆阻器马尔可夫链随机性模型 | 第34-43页 |
| 3.3.1 导电细丝运动的三大微观作用力 | 第35-37页 |
| 3.3.2 三大微观作用力随机性建模 | 第37-43页 |
| 3.4 导电细丝型忆阻器随机性模型分析 | 第43-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 导电细丝型忆阻器的记忆衰落性质研究 | 第49-61页 |
| 4.1 忆阻器确定性模型的记忆衰落性质 | 第49-52页 |
| 4.1.1 忆阻器确定性模型基本概念 | 第49-50页 |
| 4.1.2 忆阻器确定性模型记忆衰落性质分析 | 第50-52页 |
| 4.2 忆阻器随机性模型的记忆衰落性质 | 第52-60页 |
| 4.2.1 忆阻器随机性模型记忆衰落性质概念 | 第52-53页 |
| 4.2.2 直流输入下忆阻器记忆衰落分析 | 第53-55页 |
| 4.2.3 交流输入下的记忆衰落分析 | 第55-57页 |
| 4.2.4 任意信号输入下的记忆衰落分析 | 第57-60页 |
| 4.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 导电细丝型忆阻器状态转移矩阵求解 | 第61-75页 |
| 5.1 求解状态转移矩阵问题背景及意义 | 第61-62页 |
| 5.2 状态转移矩阵求解算法 | 第62-70页 |
| 5.2.1 根据转换时间求解状态转移矩阵特征值 | 第62-64页 |
| 5.2.2 状态转移矩阵的对称化 | 第64-66页 |
| 5.2.3 对称三对角阵的构造过程 | 第66-70页 |
| 5.3 算法仿真 | 第70-72页 |
| 5.4 忆阻器参数对转换时间分布影响 | 第72-73页 |
| 5.5 本章小结 | 第73-75页 |
| 第六章 总结与展望 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-84页 |
| 攻读硕士期间发表的论文和科研成果 | 第84页 |
