| 中文摘要 | 第4-6页 |
| 英文摘要 | 第6-7页 |
| 引言 | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-36页 |
| 1.1 ZnO材料的基本性质 | 第12-16页 |
| 1.2 半导体ZnO材料的基本制备方法 | 第16-18页 |
| 1.2.1 ZnO材料的化学制备方法 | 第16-17页 |
| 1.2.2 ZnO材料的物理制备方法 | 第17-18页 |
| 1.3 半导体ZnO材料的基本表征手段 | 第18-23页 |
| 1.4 ZnO/GaN异质结光发射器件研究进展 | 第23-27页 |
| 1.5 金属局域表面等离激元的基本理论 | 第27-31页 |
| 1.5.1 表面等离激元简介 | 第27-29页 |
| 1.5.2 金属局域表面等离激元简介 | 第29页 |
| 1.5.3 金属局域表面等离激元的应用 | 第29-31页 |
| 1.6 本论文的选题内容和研究意义 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-36页 |
| 第二章 原子层沉积制备ZnO薄膜及其物性研究 | 第36-51页 |
| 2.1 原子层沉积技术简介 | 第36-37页 |
| 2.2 原子层沉积制备ZnO薄膜及其物性研究 | 第37-47页 |
| 2.3 本章小结 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第三章 界面调控及Ag纳米线修饰对n-ZnO/p-GaN异质结器件紫外电致发光影响研究 | 第51-74页 |
| 3.1 n-ZnO/p-GaN异质结LED的构建 | 第51-53页 |
| 3.2 n-ZnO/i-Al_2O_3/p-GaN异质结LED器件的发光性质研究 | 第53-59页 |
| 3.2.1 引入绝缘介电层至n-ZnO/p-GaN异质结LED的意义 | 第53-54页 |
| 3.2.2 引入Al_2O_3绝缘层对n-ZnO/p-GaN异质结构电学输运性能的影响 | 第54-56页 |
| 3.2.3 n-ZnO/i-Al_2O_3/p-GaN异质结LED器件的构建及绝缘层厚度对发光性能的影响 | 第56-59页 |
| 3.3 Ag纳米线修饰对n-ZnO/i-Al_2O_3/p-GaN异质结LED电致发光性能的影响 | 第59-68页 |
| 3.3.1 引入金属局域表面等离激元的意义 | 第59-60页 |
| 3.3.2 Ag纳米线修饰的n-ZnO/i-Al_2O_3/p-GaN异质结器件的构建 | 第60-62页 |
| 3.3.3 Ag纳米线修饰的n-ZnO/i-Al_2O_3/p-GaN异质结紫外电致发光性能研究 | 第62-68页 |
| 3.4 本章小结 | 第68-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 第四章 波长可调的Ag纳米线修饰n-ZnO/p-GaN异质结LED发光性质研究 | 第74-95页 |
| 4.1 波长可调的ZnO基异质结LED研究简介 | 第74-77页 |
| 4.2 n-ZnO/p-GaN异质结LED器件的设计与制备 | 第77-80页 |
| 4.2.1 脉冲激光沉积制备ZnO薄膜的电致发光性质 | 第77-78页 |
| 4.2.2 n-ZnO/p-GaN异质结电致发光性质研究 | 第78-80页 |
| 4.3 Ag纳米线等离激元修饰的n-ZnO/p-GaN异质结器件及其发光性质研究 | 第80-90页 |
| 4.3.1 Ag纳米线修饰的n-ZnO/p-GaN异质结发光性能优化 | 第80-82页 |
| 4.3.2 Ag纳米线等离激元修饰的n-ZnO/p-GaN异质结LED | 第82-90页 |
| 4.4 本章小结 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-95页 |
| 第五章 总结与展望 | 第95-99页 |
| 5.1 论文总结 | 第95-96页 |
| 5.2 工作展望 | 第96-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 在学期间公开发表论文及参加学术会议情况 | 第100-101页 |
