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ZnO/GaN异质结LED的结构调控与性能改善研究

中文摘要第4-6页
英文摘要第6-7页
引言第10-12页
第一章 绪论第12-36页
    1.1 ZnO材料的基本性质第12-16页
    1.2 半导体ZnO材料的基本制备方法第16-18页
        1.2.1 ZnO材料的化学制备方法第16-17页
        1.2.2 ZnO材料的物理制备方法第17-18页
    1.3 半导体ZnO材料的基本表征手段第18-23页
    1.4 ZnO/GaN异质结光发射器件研究进展第23-27页
    1.5 金属局域表面等离激元的基本理论第27-31页
        1.5.1 表面等离激元简介第27-29页
        1.5.2 金属局域表面等离激元简介第29页
        1.5.3 金属局域表面等离激元的应用第29-31页
    1.6 本论文的选题内容和研究意义第31-32页
    参考文献第32-36页
第二章 原子层沉积制备ZnO薄膜及其物性研究第36-51页
    2.1 原子层沉积技术简介第36-37页
    2.2 原子层沉积制备ZnO薄膜及其物性研究第37-47页
    2.3 本章小结第47-49页
    参考文献第49-51页
第三章 界面调控及Ag纳米线修饰对n-ZnO/p-GaN异质结器件紫外电致发光影响研究第51-74页
    3.1 n-ZnO/p-GaN异质结LED的构建第51-53页
    3.2 n-ZnO/i-Al_2O_3/p-GaN异质结LED器件的发光性质研究第53-59页
        3.2.1 引入绝缘介电层至n-ZnO/p-GaN异质结LED的意义第53-54页
        3.2.2 引入Al_2O_3绝缘层对n-ZnO/p-GaN异质结构电学输运性能的影响第54-56页
        3.2.3 n-ZnO/i-Al_2O_3/p-GaN异质结LED器件的构建及绝缘层厚度对发光性能的影响第56-59页
    3.3 Ag纳米线修饰对n-ZnO/i-Al_2O_3/p-GaN异质结LED电致发光性能的影响第59-68页
        3.3.1 引入金属局域表面等离激元的意义第59-60页
        3.3.2 Ag纳米线修饰的n-ZnO/i-Al_2O_3/p-GaN异质结器件的构建第60-62页
        3.3.3 Ag纳米线修饰的n-ZnO/i-Al_2O_3/p-GaN异质结紫外电致发光性能研究第62-68页
    3.4 本章小结第68-71页
    参考文献第71-74页
第四章 波长可调的Ag纳米线修饰n-ZnO/p-GaN异质结LED发光性质研究第74-95页
    4.1 波长可调的ZnO基异质结LED研究简介第74-77页
    4.2 n-ZnO/p-GaN异质结LED器件的设计与制备第77-80页
        4.2.1 脉冲激光沉积制备ZnO薄膜的电致发光性质第77-78页
        4.2.2 n-ZnO/p-GaN异质结电致发光性质研究第78-80页
    4.3 Ag纳米线等离激元修饰的n-ZnO/p-GaN异质结器件及其发光性质研究第80-90页
        4.3.1 Ag纳米线修饰的n-ZnO/p-GaN异质结发光性能优化第80-82页
        4.3.2 Ag纳米线等离激元修饰的n-ZnO/p-GaN异质结LED第82-90页
    4.4 本章小结第90-92页
    参考文献第92-95页
第五章 总结与展望第95-99页
    5.1 论文总结第95-96页
    5.2 工作展望第96-99页
致谢第99-100页
在学期间公开发表论文及参加学术会议情况第100-101页

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