| 中文摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第14-56页 |
| 1.1 引言 | 第14-16页 |
| 1.2 有机半导体微纳单晶材料 | 第16-23页 |
| 1.2.1 有机微纳单晶材料的特点及优势 | 第16-18页 |
| 1.2.2 有机半导体微纳单晶材料的研究进展与应用 | 第18-23页 |
| 1.3 有机微纳单晶场效应晶体管 | 第23-29页 |
| 1.3.1 有机场效应晶体管的基本概念与应用 | 第23-28页 |
| 1.3.2 有机微纳单晶场效应晶体管现状及存在的问题 | 第28-29页 |
| 1.4 有机微纳单晶材料的阵列化与图案化组装及其场效应晶体管 | 第29-43页 |
| 1.4.1 有机微纳单晶材料阵列化与图案化的研究背景与意义 | 第29页 |
| 1.4.2 有机微纳单晶阵列化组装的方法及其在FETs中的应用 | 第29-35页 |
| 1.4.3 有机微纳单晶图案化组装的方法及其在FETs中的应用 | 第35-41页 |
| 1.4.4 有机微纳单晶材料阵列化与图案化FETs研究中面临的问题 | 第41-43页 |
| 1.5 本论文的选题思路和主要内容 | 第43-45页 |
| 1.6 参考文献 | 第45-56页 |
| 第二章 蒽类有机半导体微纳单晶纳米线阵列的生长及其场效应晶体管的构筑 | 第56-77页 |
| 2.1 引言 | 第56-57页 |
| 2.2 实验部分 | 第57-61页 |
| 2.2.1 实验药品及设备 | 第57-58页 |
| 2.2.2 图案化光刻胶沟道模板的制备 | 第58页 |
| 2.2.3 高度取向的BPEA单晶纳米线阵列的制备与表征 | 第58-59页 |
| 2.2.4 BPEA单晶纳米线阵列FETs的构筑与表征 | 第59-60页 |
| 2.2.5 BPEA单晶纳米线阵列FETs驱动发光二极管电路的构筑 | 第60-61页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第61-73页 |
| 2.3.1 BPEA单晶纳米线阵列形貌和晶体结构的研究 | 第61-64页 |
| 2.3.2 BPEA单晶纳米线阵列的生长机理 | 第64页 |
| 2.3.3 BPEA单晶纳米线阵列的生长调控 | 第64-66页 |
| 2.3.4 大面积(晶圆级)高度有序的BPEA单晶纳米线阵列的生长 | 第66-69页 |
| 2.3.5 光刻辅助旋涂法的普适性和图案的可设计性 | 第69-70页 |
| 2.3.6 大面积BPEA单晶纳米线阵列FETs性能的研究 | 第70-71页 |
| 2.3.7 基于BPEA单晶纳米线阵列的柔性FETs的研究 | 第71-72页 |
| 2.3.8 BPEA单晶纳米线阵列FETs在驱动LED中的应用 | 第72-73页 |
| 2.4 本章小结 | 第73页 |
| 2.5 参考文献 | 第73-77页 |
| 第三章 高度均匀、大面积有序的有机微纳单晶纳米线阵列的生长及其高迁移率场效应晶体管的构筑 | 第77-97页 |
| 3.1 引言 | 第77-78页 |
| 3.2 实验部分 | 第78-81页 |
| 3.2.1 实验材料和设备 | 第78页 |
| 3.2.2 生长模板的制备 | 第78-79页 |
| 3.2.3 DPA单晶纳米线阵列的生长与表征 | 第79-80页 |
| 3.2.4 DPA单晶纳米线阵列FETs和柔性FETs的构筑与表征 | 第80-81页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第81-93页 |
| 3.3.1 高度均匀、大面积有序的DPA单晶纳米线阵列的生长 | 第81-83页 |
| 3.3.2 高度有序的DPA单晶纳米线晶体结构的表征 | 第83-86页 |
| 3.3.3 光刻辅助浸涂法制备纳米线阵列的机理研究 | 第86-89页 |
| 3.3.4 DPA纳米线阵列FETs性能的研究 | 第89-90页 |
| 3.3.5 基于DPA纳米线阵列柔性FETs的构筑及抗弯曲性能的研究 | 第90-91页 |
| 3.3.6 光刻辅助浸涂法普适性研究 | 第91-93页 |
| 3.4 总结 | 第93页 |
| 3.5 参考文献 | 第93-97页 |
| 第四章 高集成度、图案化排布的有机微纳单晶阵列的生长及场效应晶体管的构筑 | 第97-109页 |
| 4.1 引言 | 第97-98页 |
| 4.2 实验部分 | 第98-100页 |
| 4.2.1 实验材料和设备 | 第98页 |
| 4.2.2 图案化排布的浸润与非浸润的CYTOP微米通道模板的制备 | 第98-99页 |
| 4.2.3 图案化排布的C8-BTBT晶体阵列的制备方法 | 第99页 |
| 4.2.4 图案化排布的C8-BTBT单晶阵列的形貌和晶体结构的表征 | 第99-100页 |
| 4.2.5 基于图案化排布的C8-BTBT单晶阵列高集成度FETs矩阵的构筑与性能测试 | 第100页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第100-106页 |
| 4.3.1 图案化排布的C8-BTBT单晶阵列形貌的研究 | 第100-102页 |
| 4.3.2 图案化排布的C8-BTBT单晶阵列的晶体取向和结构研究 | 第102-103页 |
| 4.3.3 图案结构可设计的C8-BTBT单晶阵列 | 第103-104页 |
| 4.3.4 基于图案化排布的C8-BTBT单晶阵列高集成度FETs矩阵性能的研究 | 第104-106页 |
| 4.4 本章小结 | 第106页 |
| 4.5 参考文献 | 第106-109页 |
| 第五章 基于酞菁铜单晶纳米线阵列的柔性场效应晶体管的构筑及其性能研究 | 第109-127页 |
| 5.1 引言 | 第109-110页 |
| 5.2 实验部分 | 第110-114页 |
| 5.2.1 实验材料和设备 | 第110-111页 |
| 5.2.2 柔性基底上酞菁铜纳米线阵列的制备 | 第111-112页 |
| 5.2.3 柔性基底上酞菁铜纳米线阵列的表征 | 第112-113页 |
| 5.2.4 基于酞菁铜纳米线阵列柔性FETs的构筑 | 第113页 |
| 5.2.5 基于酞菁铜纳米线阵列柔性FETs的表征和抗弯曲性能的测试 | 第113-114页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第114-123页 |
| 5.3.1 柔性基底上制备的酞菁铜纳米线阵列形貌研究 | 第114-116页 |
| 5.3.2 利用转移印刷法构筑微电极图案的优势 | 第116-119页 |
| 5.3.3 基于酞菁铜单晶纳米线阵列柔性FETs弯曲稳定性的研究 | 第119-121页 |
| 5.3.4 影响柔性酞菁铜单晶纳米线阵列FETs弯曲性能的因素 | 第121-123页 |
| 5.3.5 基于酞菁铜单晶纳米线阵列柔性FETs在电子皮肤上的应用 | 第123页 |
| 5.4 本章小结 | 第123-124页 |
| 5.5 参考文献 | 第124-127页 |
| 第六章 基于酞菁铜单晶纳米线阵列的可穿戴场效应晶体管的制备及性能研究 | 第127-146页 |
| 6.1 引言 | 第127-128页 |
| 6.2 实验部分 | 第128-132页 |
| 6.2.1 实验材料和设备 | 第128-129页 |
| 6.2.2 透明胶带上制备酞菁铜单晶纳米线阵列及表征 | 第129-130页 |
| 6.2.3 底栅场效应晶体管器件结构的构造 | 第130页 |
| 6.2.4 湿法转移构筑酞菁铜单晶纳米线阵列FETs的过程 | 第130-131页 |
| 6.2.5 干法转移构筑酞菁铜单晶纳米线阵列FETs的过程 | 第131页 |
| 6.2.6 干湿结合转移构筑酞菁铜单晶纳米线阵列FETs的过程 | 第131页 |
| 6.2.7 透明胶带基底上酞菁铜单晶纳米线阵列FETs的测试 | 第131-132页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第132-142页 |
| 6.3.1 胶带基底上酞菁铜单晶纳米线阵列形貌和晶体质量的研究 | 第132页 |
| 6.3.2 湿法转移过程的研究及其构筑的FETs性能的研究 | 第132-134页 |
| 6.3.3 干法转移过程的研究及其构筑得到的FETs性能的研究 | 第134-137页 |
| 6.3.4 干湿结合转移过程的研究及其构筑得到的FETs性能的研究 | 第137-139页 |
| 6.3.5 透明胶带上酞菁铜单晶纳米线阵列FETs的应用研究 | 第139-141页 |
| 6.3.6 方法的可拓展性研究 | 第141-142页 |
| 6.4 本章小结 | 第142-143页 |
| 6.5 参考文献 | 第143-146页 |
| 第七章 总结 | 第146-150页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第150-153页 |
| 致谢 | 第153-154页 |
