| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-11页 |
| 1.2 MOS器件的发展和FinFET | 第11-13页 |
| 1.3 论文的结构和内容 | 第13-14页 |
| 第2章 FinFET器件概述及其自热效应 | 第14-19页 |
| 2.1 FinFET器件 | 第14-16页 |
| 2.1.1 FinFET器件的结构和工作机理 | 第14页 |
| 2.1.2 FinFET器件的制造和工艺 | 第14-16页 |
| 2.1.3 FinFET器件的性能评估 | 第16页 |
| 2.2 自热效应 | 第16-18页 |
| 2.2.1 自热产生的机理 | 第16-17页 |
| 2.2.2 自热效应对晶体管性能的影响 | 第17-18页 |
| 2.2.3 FinFET器件中的自热效应 | 第18页 |
| 2.3 本章小结 | 第18-19页 |
| 第3章 自热效应在RF FinFET小信号模型中的表征 | 第19-31页 |
| 3.1 无自热效应的FinFET器件小信号模型 | 第19-23页 |
| 3.1.1 容性寄生的表征 | 第19-20页 |
| 3.1.2 输出电导和跨导 | 第20-22页 |
| 3.1.3 含RF寄生的模型拓扑结构 | 第22-23页 |
| 3.2 自热效应模型常见的提取方法 | 第23-26页 |
| 3.2.1 基于低频交流电导分析的热阻抗提取 | 第24-25页 |
| 3.2.2 基于射频网络参数的热阻抗提取 | 第25-26页 |
| 3.3 自热效应在FinFET器件中的小信号建模 | 第26-30页 |
| 3.3.1 热子电路模型 | 第26-27页 |
| 3.3.2 含自热效应的有源器件二端口网络参数理论 | 第27-29页 |
| 3.3.3 含自热效应的RF FinFET器件小信号模型等效 | 第29-30页 |
| 3.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第4章 含自热效应的RF FinFET模型参数提取方法 | 第31-39页 |
| 4.1 外部寄生电阻的提取 | 第31-32页 |
| 4.2 衬底寄生参数的提取 | 第32-34页 |
| 4.3 本征模型参数的提取 | 第34-36页 |
| 4.4 自热效应模型参数的提取 | 第36-38页 |
| 4.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第5章 含自热效应的RF FinFET模型验证 | 第39-69页 |
| 5.1 器件的选取及测试环境 | 第39-40页 |
| 5.2 测试数据的去嵌方法 | 第40-42页 |
| 5.3 模型的提取结果验证 | 第42-66页 |
| 5.4 自热效应相关热阻和热容提取结果分析 | 第66-67页 |
| 5.5 本章小结 | 第67-69页 |
| 第6章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 6.1 总结 | 第69-70页 |
| 6.2 展望 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 附录 | 第78页 |
