摘要 | 第5-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-23页 |
1.1 电控磁光性能研究的背景与意义 | 第10-12页 |
1.2 国内外电控磁研究的历史与现状 | 第12-21页 |
1.2.1 应力为媒介的磁电效应 | 第12-15页 |
1.2.2 电荷为媒介的磁电效应 | 第15-16页 |
1.2.3 电控交换偏置场 | 第16-18页 |
1.2.4 基于离子迁移的电控磁 | 第18-21页 |
1.3 电控磁研究的发展方向 | 第21-22页 |
1.4 本论文的研究内容与结构安排 | 第22-23页 |
第二章 实验方法与原理 | 第23-28页 |
2.1 PLD镀膜方法 | 第23-24页 |
2.2 器件制备工艺 | 第24-26页 |
2.2.1 LSCO/Ce:YIG/YIG/Si器件 | 第24-25页 |
2.2.2 Au/TiO_x/Ce:YIG/YIG/Si器件 | 第25页 |
2.2.3 制备薄膜的经验 | 第25-26页 |
2.3 表征设备 | 第26-27页 |
2.3.1 基本表征设备 | 第26页 |
2.3.2 原位电控磁光效应测试系统 | 第26-27页 |
2.4 本章小结 | 第27-28页 |
第三章 电场调控La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3/CeY_2Fe_5O_(12)的光学与磁光性能 | 第28-35页 |
3.1 器件设计与制备 | 第28-29页 |
3.2 器件的电学特性 | 第29-30页 |
3.3 电场调控反射率与MOKE表征 | 第30-32页 |
3.4 反射率调控的微观机制 | 第32-33页 |
3.5 本章小结 | 第33-35页 |
第四章 电场调控Au/TiO_x/CeY_2Fe_5O_(12)的磁光克尔效应现象 | 第35-56页 |
4.1 器件设计与制备 | 第35-36页 |
4.2 电场调控磁光克尔效应 | 第36-46页 |
4.2.1 反射率与磁性的变化 | 第36-38页 |
4.2.2 磁光克尔效应的电场响应特性 | 第38-40页 |
4.2.3 剩磁状态的器件反射率动态响应特性 | 第40-42页 |
4.2.4 器件的电输运特性 | 第42-46页 |
4.3 薄膜厚度对电控磁光效应的影响 | 第46-52页 |
4.3.1 TiO_x膜厚的影响 | 第46-48页 |
4.3.2 Au膜厚的影响 | 第48-52页 |
4.4 Ce:YIG氧含量对电控磁光效应的影响 | 第52-54页 |
4.5 本章小结 | 第54-56页 |
第五章 电场调控Au/TiO_x/CeY_2Fe_5O_(12)的磁光克尔效应机理 | 第56-68页 |
5.1 电场调控MOKE的机理猜想 | 第56-58页 |
5.2 材料结构变化 | 第58-66页 |
5.2.1 样品制备与MOKE设置 | 第58-60页 |
5.2.2 Ti价态、Ti与O含量分布 | 第60-62页 |
5.2.3 Ce含量与其价态分布 | 第62-64页 |
5.2.4 Fe含量与其价态分布 | 第64-66页 |
5.3 电场调控MOKE的新机理 | 第66-67页 |
5.4 本章小结 | 第67-68页 |
第六章 全文总结与展望 | 第68-70页 |
6.1 全文总结 | 第68-69页 |
6.2 未来工作展望 | 第69-70页 |
致谢 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-75页 |
附录 | 第75-79页 |
攻读硕士学位期间取得的成果 | 第79页 |