基于改进噪声模型的压控振荡器设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第13-18页 |
| 1.1 研究的背景与意义 | 第13-16页 |
| 1.1.1 压控振荡器研究状态 | 第15-16页 |
| 1.1.2 研究压控振荡器的意义 | 第16页 |
| 1.2 论文研究内容 | 第16-17页 |
| 1.3 论文组织结构 | 第17-18页 |
| 第二章 压控振荡器的原理及噪声模型 | 第18-29页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 振荡器的分类 | 第18-24页 |
| 2.2.1 双端.反馈系统 | 第18-20页 |
| 2.2.2 单端能量补偿系统 | 第20-23页 |
| 2.2.3 品质因数的物理意义 | 第23-24页 |
| 2.3 压控振荡器的相位噪声 | 第24-25页 |
| 2.3.1 典型的相位噪声模型与品质因素 | 第24页 |
| 2.3.2 理想情况下的振荡器的相位噪声 | 第24-25页 |
| 2.4 常见相位噪声模型 | 第25-28页 |
| 2.4.1 Leeson噪声模型 | 第25-26页 |
| 2.4.2 基于Hajimiri噪声模型的分析 | 第26-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 基于改进VCO噪声模型的理论分析 | 第29-45页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 振荡器基础 | 第29-31页 |
| 3.2.1 LC振荡器 | 第29-30页 |
| 3.2.2 能量守恒约束条件 | 第30-31页 |
| 3.3 注入小电流源的无噪声振荡器 | 第31-40页 |
| 3.3.1 相位和幅度调制 | 第31-32页 |
| 3.3.2 AM/PM调制载波的非线性响应 | 第32-34页 |
| 3.3.3 噪声电流AM和PM分量传递函数的推导 | 第34-40页 |
| 3.4 噪声系数 | 第40-42页 |
| 3.4.1 谐振损耗中的噪声 | 第40-41页 |
| 3.4.2 非线性引起的噪声 | 第41页 |
| 3.4.3 泛化结论 | 第41-42页 |
| 3.5 ISF和相量分析法的等价性证明 | 第42-43页 |
| 3.6 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 压控振荡器的设计与实现 | 第45-76页 |
| 4.1 压控振荡器的设计指标 | 第45-50页 |
| 4.2 压控振荡器的架构选取 | 第50-56页 |
| 4.2.1 NMOS交叉耦合振荡器 | 第51页 |
| 4.2.2 NMOS-PMOS交叉耦合压控振荡器 | 第51-52页 |
| 4.2.3 PMOS交叉耦合振荡器 | 第52-53页 |
| 4.2.4 电流偏置PMOS振荡器噪声因子的推导 | 第53-56页 |
| 4.3 电感的分析和选取 | 第56-62页 |
| 4.3.1 电感值的计算 | 第58-62页 |
| 4.4 可变电容管的分析与选取 | 第62-65页 |
| 4.5 仿真实验数据 | 第65-68页 |
| 4.6 电路的版图设计 | 第68-71页 |
| 4.6.1 版图的对称性 | 第68-69页 |
| 4.6.2 寄生效应 | 第69页 |
| 4.6.3 噪声分析 | 第69-71页 |
| 4.7 电路的版图的仿真 | 第71-75页 |
| 4.8 本章小结 | 第75-76页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第76-78页 |
| 5.1 全文总结 | 第76页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-87页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第87-88页 |
