激光干涉光刻法制备SiO2光子晶体薄膜
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 单层膜结构 | 第12-13页 |
| 1.2 多层膜结构 | 第13-15页 |
| 1.3 微结构薄膜 | 第15-18页 |
| 1.4 光子晶体概述 | 第18-20页 |
| 1.5 光子晶体的应用 | 第20-22页 |
| 第二章 光子晶体制备方法 | 第22-30页 |
| 2.1 胶体微球刻蚀法 | 第23-25页 |
| 2.1.1 实验工艺 | 第23-24页 |
| 2.1.2 实验结果及分析 | 第24-25页 |
| 2.2 激光全息光刻法 | 第25-29页 |
| 2.2.1 实验工艺 | 第26-28页 |
| 2.2.2 实验结果及分析 | 第28-29页 |
| 2.3 激光干涉光刻法 | 第29-30页 |
| 第三章 激光干涉光刻法 | 第30-45页 |
| 3.1 干涉的基本原理 | 第30-31页 |
| 3.2 双光束干涉材料表面光强分布 | 第31-32页 |
| 3.3 衬比度 | 第32-33页 |
| 3.4 激光干涉光刻实验装置 | 第33-37页 |
| 3.4.1 双光束干涉仪 | 第34-35页 |
| 3.4.2 洛埃镜干涉仪 | 第35-37页 |
| 3.5 双光束两次曝光制备二维光子晶体 | 第37-39页 |
| 3.6 光刻胶曝光模型简易分析 | 第39-45页 |
| 3.6.1 光栅结构曝光模型分析 | 第39-41页 |
| 3.6.2 双光束两次曝光曝光模型分析 | 第41-42页 |
| 3.6.3 实际曝光模型分析 | 第42-44页 |
| 3.6.4 二维点阵结构曝光不足的光刻胶分析 | 第44-45页 |
| 第四章 实验工艺 | 第45-55页 |
| 4.1 样品准备 | 第46-47页 |
| 4.2 PECVD生长SiO_2薄膜 | 第47页 |
| 4.3 涂胶 | 第47-50页 |
| 4.3.1 光刻胶的选择 | 第47-49页 |
| 4.3.2 涂胶工艺 | 第49-50页 |
| 4.4 激光干涉曝光 | 第50-52页 |
| 4.4.1 激光光源的要求 | 第50-51页 |
| 4.4.2 激光器的选择 | 第51页 |
| 4.4.3 曝光步骤 | 第51-52页 |
| 4.5 图形转移 | 第52-55页 |
| 第五章 实验结果分析 | 第55-64页 |
| 5.1 光子晶体形貌分析 | 第55-58页 |
| 5.1.1 S1813正胶制备的二维光子晶体 | 第55-57页 |
| 5.1.2 N1407负胶制备的二维光子晶体 | 第57-58页 |
| 5.2 光子晶体透射率 | 第58-64页 |
| 第六章 总结 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
