| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-10页 |
| 1.2 阻变存储器的历史与发展 | 第10-11页 |
| 1.3 阻变存储器概述 | 第11-13页 |
| 1.4 电阻转变机制 | 第13-16页 |
| 1.4.1 导电细丝机制阻变存储器 | 第13-14页 |
| 1.4.2 非导电细丝机制阻变存储器 | 第14-16页 |
| 1.5 选题意义及研究内容 | 第16-17页 |
| 参考文献 | 第17-21页 |
| 第二章 阻变存储器保持特性概述 | 第21-40页 |
| 2.1 阻变存储器保持特性失效机理 | 第21-24页 |
| 2.1.1 氧空位导电细丝型阻变存储器保持特性失效机理 | 第21-23页 |
| 2.1.2 金属导电细丝型阻变存储器保持特性失效机理 | 第23-24页 |
| 2.2 阻变存储器的保持特性的测试方法 | 第24-30页 |
| 2.2.1 Arrhenius外延测试法测试保持特性 | 第24-27页 |
| 2.2.2 逐渐加压测试保持特性 | 第27-28页 |
| 2.2.3 使用微加热系统加速测试保持特性 | 第28-30页 |
| 2.3 阻变存储器保持特性的提高方法 | 第30-38页 |
| 2.3.1 采用电流编程提高保持性能 | 第30-32页 |
| 2.3.2 改进操作算法提高保持性能 | 第32-34页 |
| 2.3.3 通过退火提高保持性能 | 第34-35页 |
| 2.3.4 通过化学处理提高保持性能 | 第35-38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 第三章 基于28nm逻辑工艺的1T1R结构的阻变存储器的可靠性问题 | 第40-51页 |
| 3.1 器件制备 | 第40-43页 |
| 3.1.1 28nm逻辑工艺 | 第40-41页 |
| 3.1.2 器件结构的选择 | 第41-42页 |
| 3.1.3 测试系统框架结构 | 第42-43页 |
| 3.2 金属导电细丝型阻变存储器的保持特性研究 | 第43-46页 |
| 3.3 氧空位型导电细丝阻变存储器的保持特性研究 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第四章 RRAM阵列保持特性研究 | 第51-67页 |
| 4.1 实验过程 | 第51-53页 |
| 4.1.1 实验对象 | 第51页 |
| 4.1.2 实验设备 | 第51-52页 |
| 4.1.3 测试过程 | 第52-53页 |
| 4.2 1Mb阻变存储器模块的基本性能 | 第53-56页 |
| 4.3 不同forming条件的低阻态的数据保持特性测试 | 第56-58页 |
| 4.4 阻变存储器高阻态保持特性研究 | 第58-62页 |
| 4.4.1 不同forming条件的高阻态保持特性研究 | 第58-59页 |
| 4.4.2 不同reset脉冲高度下的高阻态保持特性 | 第59-61页 |
| 4.4.3 不同reset脉冲宽度下的高阻态保持特性 | 第61-62页 |
| 4.5 低阻态保持特性的改善 | 第62-64页 |
| 4.6 本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第67-68页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第68-69页 |
| 在校期间研究成果 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
