| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 电阻薄膜技术概述 | 第10-13页 |
| 1.2.1 影响薄膜生长和结构的因素 | 第11-12页 |
| 1.2.2 薄膜生长中的缺陷 | 第12页 |
| 1.2.3 电阻薄膜的传输机理 | 第12-13页 |
| 1.3 铬-硅（Cr-Si）系电阻薄膜材料简介 | 第13-20页 |
| 1.3.1 铬-硅系电阻薄膜的应用 | 第14页 |
| 1.3.2 铬-硅系电阻薄膜的研究与发展现状 | 第14-15页 |
| 1.3.3 铬-硅系电阻薄膜的制备方法 | 第15-19页 |
| 1.3.4 铬-硅系电阻薄膜的电学特性 | 第19-20页 |
| 1.4 本论文的选题背景 | 第20-22页 |
| 1.5 本论文的工作 | 第22-23页 |
| 第2章 基于密度泛函理论的第一性原理 | 第23-35页 |
| 2.1 Hartree-Fork方法 | 第23-26页 |
| 2.1.1 绝热近似 | 第24-25页 |
| 2.1.2 Hartree-Fork近似 | 第25-26页 |
| 2.2 密度泛函理论（DFT） | 第26-29页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第26-27页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第27-29页 |
| 2.3 交换关联能的确定 | 第29-30页 |
| 2.3.1 局域密度近似（LDA） | 第29-30页 |
| 2.3.2 广义梯度近似（GGA） | 第30页 |
| 2.4 总能量计算 | 第30-32页 |
| 2.4.1 自洽计算 | 第30-31页 |
| 2.4.2 赝势法和全电子法 | 第31页 |
| 2.4.3 平面波和赝势 | 第31-32页 |
| 2.5 计算程序CASTEP简介 | 第32-34页 |
| 2.5.1 超原胞处理方法 | 第32-33页 |
| 2.5.2 截断能和平面波基组 | 第33页 |
| 2.5.3 赝势的选取 | 第33-34页 |
| 2.6 本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 制备不同靶材掺杂的薄膜并分析微结构 | 第35-51页 |
| 3.1 薄膜微结构常用表征技术 | 第35-39页 |
| 3.1.1 X射线衍射分析（XRD） | 第35-37页 |
| 3.1.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第37-38页 |
| 3.1.3 原子力显微镜（AFM） | 第38-39页 |
| 3.2 掺杂Ni、Mo硅化铬薄膜的制备及其微结构 | 第39-44页 |
| 3.2.1 实验过程 | 第39-41页 |
| 3.2.2 掺杂Ni、Mo硅化铬薄膜的微结构 | 第41-43页 |
| 3.2.3 湿热实验结果分析 | 第43-44页 |
| 3.3 Ni-Mo共掺杂硅化铬薄膜的制备及其微结构 | 第44-50页 |
| 3.3.1 实验过程 | 第44-45页 |
| 3.3.2 Ni-Mo共掺杂硅化铬薄膜的微结构 | 第45-47页 |
| 3.3.3 实验结果分析 | 第47-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 利用蒙特卡洛法研究薄膜生长机理 | 第51-68页 |
| 4.1 薄膜生长的表面原子过程 | 第51-53页 |
| 4.1.1 吸附 | 第52-53页 |
| 4.1.2 表面扩散 | 第53页 |
| 4.1.3 凝结 | 第53页 |
| 4.2 薄膜生长的理论模式 | 第53-56页 |
| 4.3 计算机模拟概述 | 第56-58页 |
| 4.4 薄膜生长的蒙特卡洛模拟 | 第58-61页 |
| 4.4.1 晶粒生长方程 | 第58-59页 |
| 4.4.2 模拟方法流程 | 第59-61页 |
| 4.5 模拟结果分析 | 第61-67页 |
| 4.6 本章小结 | 第67-68页 |
| 第5章 Ni-Mo对Cr-Si高阻膜性能的第一性原理研究 | 第68-93页 |
| 5.1 本征CrSi_2的性质计算 | 第68-73页 |
| 5.1.1 模型构建和计算方法 | 第68-69页 |
| 5.1.2 晶体结构和电子结构 | 第69-72页 |
| 5.1.3 光学性质分析 | 第72-73页 |
| 5.2 Ni掺杂CrSi_2高阻膜的性质 | 第73-81页 |
| 5.2.1 模型构建和计算方法 | 第74-75页 |
| 5.2.2 晶体结构 | 第75-76页 |
| 5.2.3 电子密度，能带结构和态密度分析 | 第76-80页 |
| 5.2.4 光学性质分析 | 第80-81页 |
| 5.3 Mo掺杂CrSi_2高阻膜的性质 | 第81-87页 |
| 5.3.1 模型构建和计算方法 | 第81-82页 |
| 5.3.2 电子密度，能带结构和态密度分析 | 第82-86页 |
| 5.3.3 光学性质分析 | 第86-87页 |
| 5.4 Ni-Mo共掺杂CrSi_2高阻膜的性质 | 第87-91页 |
| 5.4.1 模型构建和计算方法 | 第87-88页 |
| 5.4.2 电子密度，能带结构和态密度分析 | 第88-90页 |
| 5.4.3 光学性质分析 | 第90-91页 |
| 5.5 本章小结 | 第91-93页 |
| 第6章 总结与展望 | 第93-95页 |
| 6.1 总结 | 第93-94页 |
| 6.2 展望 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-103页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第103-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |