| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-36页 |
| 1.1 纳米材料概述 | 第11-13页 |
| 1.2 一维半导体纳米结构的合成 | 第13-18页 |
| 1.2.1 一维纳米结构自下而上的合成方法 | 第13-17页 |
| 1.2.2 一维纳米结构自上而下的合成方法 | 第17-18页 |
| 1.3 一维半导体纳米结构的光电性能调控 | 第18-24页 |
| 1.3.1 一维半导体纳米结构的掺杂 | 第18-21页 |
| 1.3.2 一维半导体纳米结构复合结构 | 第21-24页 |
| 1.4 一维半导体纳米器件的研究与应用 | 第24-28页 |
| 1.4.1 场效应晶体管 | 第25-26页 |
| 1.4.2 光伏 | 第26-27页 |
| 1.4.3 存储器 | 第27-28页 |
| 1.4.4 其他功能器件 | 第28页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容和意义 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-36页 |
| 第二章 一维II-VI族半导体纳米结构的表面电荷转移掺杂及其光电应用 | 第36-67页 |
| 2.1 引言 | 第36-37页 |
| 2.2 实验部分 | 第37-44页 |
| 2.2.1 ZnSe纳米带的合成 | 第37-39页 |
| 2.2.2 MoO_3纳米点的制备及MoO3纳米点修饰的Zn Se纳米带样品的准备 | 第39-40页 |
| 2.2.3 材料的表征 | 第40页 |
| 2.2.4 器件的构造与测试 | 第40-44页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第44-56页 |
| 2.3.1 Zn Se纳米带表征结果分析与讨论 | 第44-45页 |
| 2.3.2 MoO_3纳米点对ZnSe纳米带表面掺杂结果分析与讨论 | 第45-49页 |
| 2.3.3 MoO_3纳米点对ZnSe纳米带表面掺杂程度的调控 | 第49-51页 |
| 2.3.4 MoO_3纳米点对ZnSe纳米带表面掺杂机理的研究与讨论 | 第51-53页 |
| 2.3.5 单根Zn Se纳米带p-n同质结光伏器件 | 第53-55页 |
| 2.3.6 p-ZnSe纳米带/n-Si p-n异质结器件 | 第55-56页 |
| 2.4 其他II-VI族半导体一维纳米结构的表面电荷转移掺杂 | 第56-61页 |
| 2.4.1 CdSe纳米带和ZnTe纳米带的合成及表征 | 第56-58页 |
| 2.4.2 Cs_2CO_3纳米点水溶液和BV的甲苯溶液的合成 | 第58-59页 |
| 2.4.3 CdSe纳米带和ZnTe纳米带的表面电荷转移掺杂 | 第59-61页 |
| 2.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 第三章 一步法合成CdS:Mo-CdMoO_4核-壳纳米带及其高性能的非易失性存储器应用 | 第67-86页 |
| 3.1 引言 | 第67-69页 |
| 3.2 实验部分 | 第69-71页 |
| 3.2.1 合成CdS:Mo-CdMoO_4核-壳纳米带和本征CdS纳米带 | 第69-70页 |
| 3.2.2 CdS:Mo-CdMoO_4核-壳纳米带和本征CdS纳米带的表征与分析 | 第70页 |
| 3.2.3 器件构造和测试 | 第70-71页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第71-82页 |
| 3.3.1 CdS:Mo-CdMoO_4核-壳纳米带表征结果分析与讨论 | 第71-74页 |
| 3.3.2 CdS:Mo-CdMoO_4核-壳纳米带存储性能研究 | 第74-77页 |
| 3.3.3 CdS:Mo-CdMoO_4核-壳纳米带存储性机理研究 | 第77-80页 |
| 3.3.4 CdS:Mo-CdMoO_4核-壳纳米带存储性机理的理论计算研究 | 第80-82页 |
| 3.4 本章小结 | 第82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |
| 第四章 总结与展望 | 第86-88页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第88-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
