| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 Ge/Si量子点材料的研究现状 | 第9-12页 |
| 1.2.1 薄膜材料的生长模式(机理) | 第9-12页 |
| 1.2.2 本课题组制备Ge/Si量子点材料的研究现状 | 第12页 |
| 1.3 本论文的主要研究工作 | 第12-14页 |
| 第二章 离子束溅射设备及实验测试手段 | 第14-23页 |
| 2.1 离子束溅射设备的基本结构及工作原理 | 第14-16页 |
| 2.1.1 离子束溅射腔体结构及工作原理 | 第14-15页 |
| 1. 离子束溅射真空腔体 | 第14-15页 |
| 2.1.2 考夫曼离子枪工作原理 | 第15-16页 |
| 2.2 实验测试手段 | 第16-20页 |
| 2.2.1 原子力显微镜 | 第16-17页 |
| 2.2.2 Raman光谱仪 | 第17-19页 |
| 2.2.3 电化学工作站 | 第19-20页 |
| 2.3 实验准备 | 第20-23页 |
| 2.3.1 基片清洗 | 第20-21页 |
| 2.3.2 去离子水机简介 | 第21页 |
| 2.3.3 其他设备简介 | 第21-23页 |
| 第三章 单层Ge/Si量子点的制备及优化 | 第23-45页 |
| 3.1 引言 | 第23-24页 |
| 3.2 实验过程 | 第24页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第24-44页 |
| 3.3.1 低温Si缓冲层下单层Ge/Si纳米岛的研究 | 第24-33页 |
| 3.3.2 高质量Si缓冲层的制备 | 第33-35页 |
| 3.3.3 高温Si缓冲层单层Ge/Si量子点的研究 | 第35-44页 |
| 3.4 本章小节 | 第44-45页 |
| 第四章 多层Ge/Si量子点的制备及其光敏电阻的初步研究 | 第45-51页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 实验过程 | 第45-50页 |
| 4.2.1 多层Ge/Si纳米岛的制备 | 第45-47页 |
| 4.2.2 多层Ge/Si纳米岛光敏电阻的初步研究 | 第47-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 5.1 总结 | 第51页 |
| 5.2 展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-61页 |
| 附录 研究生期间发表的文章及参与的项目 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
