| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-19页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 磁控溅射高密度量子点的研究 | 第8-11页 |
| 1.2.1 异质外延生长模式 | 第9-11页 |
| 1.2.2 Ge/Si量子点自组装生长 | 第11页 |
| 1.3 光电探测器简介 | 第11-15页 |
| 1.4 课题组前期研究 | 第15-17页 |
| 1.5 论文主要工作 | 第17-19页 |
| 第二章 实验仪器和表征方法 | 第19-29页 |
| 2.1 磁控溅射设备及原理 | 第19-22页 |
| 2.1.1 磁控溅射设备 | 第19-20页 |
| 2.1.2 真空系统 | 第20页 |
| 2.1.3 磁控溅射设备简介 | 第20-22页 |
| 2.2 去离子水制备设备及基片清洗 | 第22-24页 |
| 2.2.1 去离子水制备设备 | 第22-23页 |
| 2.2.2 基片清洗方法 | 第23-24页 |
| 2.2.3 基片清洗目的 | 第24页 |
| 2.3 材料测试表征方法 | 第24-29页 |
| 2.3.1 原子力显微镜 | 第24-26页 |
| 2.3.2 拉曼光谱 | 第26-28页 |
| 2.3.3 电化学工作站 | 第28-29页 |
| 第三章 磁控溅射制备高密度量子点的研究 | 第29-38页 |
| 3.1 引言 | 第29-30页 |
| 3.2 实验过程 | 第30-31页 |
| 3.3 退火温度对磁控溅射制备Ge/Si量子点的影响 | 第31-37页 |
| 3.3.1 沉积速率和厚度的选择 | 第31-32页 |
| 3.3.2 量子点形貌表征及分析 | 第32-36页 |
| 3.3.3 拉曼测试表征 | 第36-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 量子点光电特性的研究 | 第38-50页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 量子点材料光电性能的探测原理及特性参数 | 第38-42页 |
| 4.2.1 纵向结构的光电特性探测原理 | 第39-40页 |
| 4.2.2 横向结构的光电特性探测原理 | 第40-41页 |
| 4.2.3 性能表征特性参数 | 第41-42页 |
| 4.3 光电特性的探测结构 | 第42-43页 |
| 4.4 各样品制备过程及性能表征方法 | 第43-50页 |
| 4.4.1 样品1制备与表征 | 第43-46页 |
| 4.4.2 样品2制备与表征 | 第46-47页 |
| 4.4.3 样品3制备与表征 | 第47-48页 |
| 4.4.4 不同样品验证表征 | 第48-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 5.1 总结 | 第50页 |
| 5.2 展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 附录 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |