| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 文献综述 | 第9-25页 |
| 1.1 TS-1分子筛概述 | 第9-11页 |
| 1.1.1 分子筛简介 | 第9-10页 |
| 1.1.2 TS-1的结构特点 | 第10-11页 |
| 1.2 TS-1的合成方法 | 第11-14页 |
| 1.2.1 经典有机水热法 | 第11-12页 |
| 1.2.2 无机原料体系水热法 | 第12-13页 |
| 1.2.3 同晶取代法 | 第13页 |
| 1.2.4 微波辅助合成法 | 第13页 |
| 1.2.5 其他合成方法 | 第13-14页 |
| 1.3 晶化条件对TS-1合成的影响 | 第14-15页 |
| 1.4 钛硅分子筛TS-1的晶化机理 | 第15-16页 |
| 1.5 TS-1的应用 | 第16-17页 |
| 1.6 微孔-中孔TS-1分子筛的合成 | 第17-18页 |
| 1.7 TS-1的表征方法 | 第18-20页 |
| 1.7.1 傅立叶变换红外光谱(FT-IR) | 第18-19页 |
| 1.7.2 X—射线衍射仪(XRD) | 第19页 |
| 1.7.3 紫外漫反射光谱(UV-Vis) | 第19-20页 |
| 1.7.4 N_2吸附法 | 第20页 |
| 1.7.5 电感耦合等离子体发射光谱(ICP) | 第20页 |
| 1.7.6 扫描电子显微镜(SEM) | 第20页 |
| 1.8 环氧氯丙烷 | 第20-23页 |
| 1.8.1 环氧氯丙烷现有生产方法 | 第21-22页 |
| 1.8.2 氯丙烯直接氧化法 | 第22-23页 |
| 1.9 课题选择与研究内容 | 第23-25页 |
| 第2章 实验部分 | 第25-32页 |
| 2.1 实验试剂 | 第25-26页 |
| 2.2 仪器及设备 | 第26页 |
| 2.3 TS-1的制备及表征 | 第26-28页 |
| 2.3.1 TS-1晶种及有机经典法TS-1的制备 | 第26-27页 |
| 2.3.2 无机原料体系TS-1分子筛的合成 | 第27页 |
| 2.3.3 多级孔道TS-1分子筛的合成 | 第27-28页 |
| 2.3.4 TS-1分子筛的改性 | 第28页 |
| 2.3.5 TS-1分子筛物性表征 | 第28页 |
| 2.4 氯丙烯环氧化反应 | 第28-30页 |
| 2.4.1 氯丙烯环氧化反应机理 | 第28-29页 |
| 2.4.2 反应条件及装置 | 第29-30页 |
| 2.5 环氧化产物分析 | 第30-32页 |
| 2.5.1 反应剩余的双氧水分析 | 第30-31页 |
| 2.5.2 目标产物环氧氯丙烷的分析 | 第31-32页 |
| 第3章 无机原料体系合成TS-1 | 第32-59页 |
| 3.1 合成原料对合成TS-1的影响 | 第32-45页 |
| 3.1.1 不同钛源对合成TS-1的影响 | 第32-36页 |
| 3.1.2 不同碱源对合成的影响 | 第36-38页 |
| 3.1.3 钛硅比对合成TS-1的影响 | 第38-39页 |
| 3.1.4 模板剂用量对合成TS-1的影响 | 第39-41页 |
| 3.1.5 碱硅比对合成TS-1的影响 | 第41-42页 |
| 3.1.6 晶种加入量对合成TS-1的影响 | 第42-45页 |
| 3.2 合成条件对合成TS-1的影响 | 第45-49页 |
| 3.2.1 晶化时间对合成TS-1的影响 | 第45-47页 |
| 3.2.2 晶化温度对合成TS-1的影响 | 第47-48页 |
| 3.2.3 制胶温度对合成TS-1的影响 | 第48-49页 |
| 3.3 碱性阴离子对合成TS-1的影响 | 第49-56页 |
| 3.3.1 硫酸根离子对合成TS-1的影响 | 第49-53页 |
| 3.3.2 溴离子对合成TS-1的影响 | 第53-56页 |
| 3.4 无机原料体系合成TS-1的重复利用性及稳定性 | 第56-59页 |
| 第4章 微孔-中孔TS-1的合成初步探究 | 第59-63页 |
| 4.1 多级孔道TS-1与常规TS-1的比较 | 第59-63页 |
| 第5章 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 附录 攻读学位期间发表论文目录 | 第73页 |