| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 课题研究现状和发展 | 第11-21页 |
| 1.2.1 高温超导体的发展和现状 | 第11-15页 |
| 1.2.2 强关联电子系统的研究发展与现状 | 第15-18页 |
| 1.2.3 自旋玻璃态的研究发展与现状 | 第18-21页 |
| 1.3 本文研究的主要内容和意义 | 第21-22页 |
| 1.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第2章 基础知识 | 第23-36页 |
| 2.1 高温铜氧化物超导体 | 第23-28页 |
| 2.1.1 高温铜氧化物超导体体系特点 | 第23-24页 |
| 2.1.2 高温铜氧化物超导体体系结构 | 第24-25页 |
| 2.1.3 高温铜氧化物超导体体系掺杂特点 | 第25-27页 |
| 2.1.4 高温铜氧化物超导体体系中的赝能隙 | 第27-28页 |
| 2.2 强关联电子系统 | 第28-30页 |
| 2.2.1 强关联电子系统的定义 | 第28-29页 |
| 2.2.2 强关联电子系统的特点 | 第29页 |
| 2.2.3 强关联电子系统的应用前景 | 第29-30页 |
| 2.3 自旋玻璃态的形成 | 第30-34页 |
| 2.3.1 自旋玻璃的定义 | 第30-31页 |
| 2.3.2 自旋玻璃态的特点 | 第31页 |
| 2.3.3 自旋玻璃态的形成示意图 | 第31-32页 |
| 2.3.4 掺杂条件下自旋玻璃态的形成原因 | 第32页 |
| 2.3.5 自旋玻璃态中的亚稳态 | 第32-33页 |
| 2.3.6 自旋玻璃态中的磁化弛豫现象 | 第33-34页 |
| 2.4 Hubbard 模型 | 第34-35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 计算模型及分析 | 第36-43页 |
| 3.1 三带 Hubbard 模型 | 第36-39页 |
| 3.1.1 反铁磁背景下的三带 Hubbard 模型 | 第37-38页 |
| 3.1.2 铁磁背景下的三带 Hubbard 模型 | 第38-39页 |
| 3.1.3 无磁背景下的三带 Hubbard 模型 | 第39页 |
| 3.2 自旋翻转后的三带 Hubbard 模型 | 第39-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-43页 |
| 第4章 无掺杂时不同背景下的计算结果及分析 | 第43-49页 |
| 4.1 反铁磁背景 | 第43-45页 |
| 4.1.1 自旋向上的反铁磁背景 | 第43-44页 |
| 4.1.2 自旋向下的反铁磁背景 | 第44-45页 |
| 4.2 铁磁背景 | 第45-47页 |
| 4.2.1 自旋向上的铁磁背景 | 第45-46页 |
| 4.2.2 自旋向下的铁磁背景 | 第46-47页 |
| 4.3 无磁背景 | 第47-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 在反铁磁背景下进行掺杂的计算结果及分析 | 第49-53页 |
| 5.1 体系能量最小化 | 第49-50页 |
| 5.2 体系谱函数 | 第50-51页 |
| 5.3 体系态密度 | 第51-52页 |
| 5.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文 | 第63页 |
