| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4页 |
| 注释表 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究的背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第13-14页 |
| 1.4 论文的结构安排 | 第14-15页 |
| 第2章 SiGe掺C材料的特性 | 第15-24页 |
| 2.1 C的掺入率 | 第15-17页 |
| 2.2 C的掺入对于应变的影响 | 第17页 |
| 2.3 C的掺入对于B扩散的抑制 | 第17-22页 |
| 2.3.1 C组分的抑制机制 | 第17-18页 |
| 2.3.2 掺C器件的B抑制实验对比 | 第18-20页 |
| 2.3.3 掺C器件的直流特性 | 第20-22页 |
| 2.4 碳原子对于SiGe合金的能带补偿 | 第22-23页 |
| 2.5 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 SiGe:C HBT的基本特性 | 第24-38页 |
| 3.1 器件的能带变化 | 第24-25页 |
| 3.2 器件的直流特性 | 第25-28页 |
| 3.2.1 基区的电流密度模型 | 第26页 |
| 3.2.2 集电区的电流密度模型 | 第26-27页 |
| 3.2.3 SiGeC HBT电流增益 | 第27-28页 |
| 3.3 频率特性 | 第28-30页 |
| 3.3.1 特征频率 | 第28-30页 |
| 3.3.2 最高振荡频率 | 第30页 |
| 3.4 晶体管的功率特性 | 第30-33页 |
| 3.4.1 注入效应 | 第30-31页 |
| 3.4.2 发射结电流集边效应 | 第31-32页 |
| 3.4.3 基区宽度调制效应与基区扩展效应 | 第32-33页 |
| 3.5 器件的击穿特性 | 第33-35页 |
| 3.5.1 电场分布与掺杂浓度的关系 | 第33-34页 |
| 3.5.2 SiGe器件中击穿的发生 | 第34-35页 |
| 3.6 HBT的制备工艺 | 第35-37页 |
| 3.6.1 台面结构 | 第35-36页 |
| 3.6.2 平面结构 | 第36-37页 |
| 3.7 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 SiGe:C HBT结构设计与优化 | 第38-60页 |
| 4.1 Ge掺入浓度与组分分布的设计 | 第39-42页 |
| 4.1.1 Ge组分掺入量对于器件性能的影响 | 第40-41页 |
| 4.1.2 Ge组分分布对于器件击穿性能的影响 | 第41-42页 |
| 4.2 参数的设计 | 第42-47页 |
| 4.2.1 基区掺杂的设计 | 第42-43页 |
| 4.2.2 基区厚度的设计 | 第43-44页 |
| 4.2.3 发射区的设计 | 第44-45页 |
| 4.2.4 集电区的设计 | 第45-47页 |
| 4.3 器件的特性 | 第47-49页 |
| 4.3.1 器件的电流增益特性和频率特性 | 第47-48页 |
| 4.3.2 器件的输出特性 | 第48页 |
| 4.3.3 器件的击穿特性 | 第48-49页 |
| 4.3.4 器件的性能对比 | 第49页 |
| 4.4 两种改善击穿特性结构的研究 | 第49-59页 |
| 4.4.1 超结结构的原理 | 第49-50页 |
| 4.4.2 SiGeC器件超结结构的应用 | 第50-52页 |
| 4.4.3 一种浮空埋层器件的提出 | 第52-53页 |
| 4.4.4 浮空埋层器件原理与结构 | 第53-54页 |
| 4.4.5 浮空埋层器件的特性对比分析 | 第54-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第5章 器件制备与流片测试验证 | 第60-66页 |
| 5.1 0.35μm SiGeC BiCMOS工艺流程设计 | 第60-61页 |
| 5.2 版图设计 | 第61-62页 |
| 5.3 流片结果验证 | 第62-65页 |
| 5.3.1 器件的电流增益测试图 | 第62-63页 |
| 5.3.2 器件特征频率 | 第63-64页 |
| 5.3.3 器件击穿特性测试图 | 第64-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第6章 工作总结与展望 | 第66-68页 |
| 6.1 工作总结 | 第66-67页 |
| 6.2 未来展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读硕士学位期间从事的科研工作及取得的成果 | 第73页 |