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铜铟硒薄膜太阳能电池中晶界的作用机理研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 绪论第11-27页
    1.1 CuInSe_2晶体的结构和基本性质第12-15页
        1.1.1 CuInSe_2的晶体结构第12-13页
        1.1.2 CIS的主要缺陷和电学性质第13-14页
        1.1.3 CIS的光学性质和禁带宽度第14-15页
    1.2 CIS/CIGS太阳能电池第15-20页
        1.2.1 CIS/CIGS太阳能电池的发展过程第15-16页
        1.2.2 CIS/CIGS太阳能电池的结构和原理第16-19页
        1.2.3 CIS/CIGS太阳能电池的特殊性第19-20页
    1.3 研究对象第20-25页
        1.3.1 晶界的分类第20-21页
        1.3.2 孪晶界第21-22页
        1.3.3 晶界偏析第22页
        1.3.4 晶界模型的发展第22-24页
        1.3.5 CIS晶界的研究进展第24-25页
    1.4 研究目的和意义第25页
    1.5 论文内容的安排第25-27页
第二章 CuInSe_2完整晶体的电子结构研究第27-42页
    2.1 理论模型第27-28页
    2.2 计算方法第28-29页
    2.3 计算结果第29-39页
        2.3.1 几何结构优化第29-30页
        2.3.2 能带结构第30-32页
        2.3.3 态密度分析第32-35页
        2.3.4 成键情况分析第35-38页
        2.3.5 电荷密度第38-39页
    2.4 DFT+U方法第39-41页
    2.5 小结第41-42页
第三章 CuInSe_2(112)表面的电子结构和能量学研究第42-53页
    3.1 理论模型第42-43页
    3.2 计算方法第43页
    3.3 计算结果第43-46页
        3.3.1 结构变化第43-44页
        3.3.2 结构变化机理第44-45页
        3.3.3 态密度分析第45-46页
    3.4 含铜空位(112)表面第46-49页
        3.4.1 模型和计算方法第47页
        3.4.2 结构变化第47-48页
        3.4.3 态密度分析第48-49页
    3.5 表面能定义和比较第49-50页
    3.6 极性表面第50-51页
    3.7 小结第51-53页
第四章 铜空位及相关缺陷对对CuInSe_2晶界的影响第53-70页
    4.1 理论模型第53-54页
    4.2 计算方法第54页
    4.3 计算结果第54-61页
        4.3.1 洁净的(无缺陷、无杂质的)晶界第54-55页
        4.3.2 含铜空位的晶界第55-61页
    4.4 缺陷对2V_(Cu)~-+In_(Cu)~(2+)在多晶CIS中的分布第61-69页
        4.4.1 模型和计算方法第62-65页
        4.4.2 态密度分析第65-69页
    4.5 小结第69-70页
第五章 Na掺杂对CuInSe_2晶界的影响第70-82页
    5.1 模型和计算方法第70-71页
    5.2 计算结果第71-81页
        5.2.1 Na_(Cu)和Na_i的缺陷形成能第71-75页
        5.2.2 Na_(Cu)的形成过程第75-77页
        5.2.3 态密度分析第77-79页
        5.2.4 马利肯布居分析第79-80页
        5.2.5 含Na_(Cu)晶界对载流子传输的影响第80-81页
    5.3 小结第81-82页
第六章 Cd元素在CuInSe_2中的掺杂及影响第82-97页
    6.1 Cd元素在CuInSe_2晶体中的掺杂第82-85页
        6.1.1 模型和计算方法第82-83页
        6.1.2 计算结果第83-85页
    6.2 Cd元素在(112)面上的掺杂第85-95页
        6.2.1 模型和计算方法第86-88页
        6.2.2 计算结果第88-92页
        6.2.3 结构变化第92-93页
        6.2.4 态密度分析第93-95页
    6.3 小结第95-97页
第七章 结论第97-99页
参考文献第99-107页
作者简历及在学期间发表的论文第107-108页
致谢第108页

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