| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 二维材料 | 第11-13页 |
| 1.2 二硫化钼的结构、性质及应用 | 第13-17页 |
| 1.2.1 二硫化钼的结构 | 第13-14页 |
| 1.2.2 二硫化钼的性质和应用 | 第14-17页 |
| 1.3 二硫化钼的制备方法 | 第17-20页 |
| 1.3.1 机械剥离法 | 第17-18页 |
| 1.3.2 液相剥离法 | 第18-19页 |
| 1.3.3 化学气相沉积法 | 第19-20页 |
| 1.4 二维材料的范德瓦尔斯异质结 | 第20-23页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 化学气相沉积法制备高质量单层二硫化钼 | 第25-35页 |
| 2.1 引言 | 第25-26页 |
| 2.2 实验部分 | 第26-30页 |
| 2.2.1 实验药品 | 第26-27页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第27页 |
| 2.2.3 高质量单层MoS_2的制备 | 第27-28页 |
| 2.2.4 材料表征 | 第28页 |
| 2.2.5 器件制备、电子传输和光电性能测试 | 第28-30页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第30-34页 |
| 2.3.1 形貌和结构表征 | 第30-33页 |
| 2.3.1.1 单层MoS_2的OM、SEM及AFM分析 | 第30-31页 |
| 2.3.1.2 单层MoS_2的Raman/PL光谱分析 | 第31-33页 |
| 2.3.2 单层MoS_2的电子传输和光电性能 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 CVD法在高介电常数基底上生长原子层厚度二硫化钼 | 第35-49页 |
| 3.1 引言 | 第35-36页 |
| 3.2 实验部分 | 第36-39页 |
| 3.2.1 实验药品 | 第36-37页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第37-38页 |
| 3.2.3 实验 | 第38-39页 |
| 3.2.3.1 用ALD技术在SiO_2/Si和Si基底上沉积HfO_2 | 第38页 |
| 3.2.3.2 在HfO_2基底上合成MoS_2 | 第38页 |
| 3.2.3.3 材料表征 | 第38-39页 |
| 3.2.3.4 器件制备与电学测试 | 第39页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第39-48页 |
| 3.3.1 样品的形貌、结构及成分分析 | 第39-47页 |
| 3.3.1.1 HfO_2的SEM、AFM及XPS表征 | 第39-41页 |
| 3.3.1.2 在HfO_2基底上合成MoS_2的OM和AFM分析 | 第41-43页 |
| 3.3.1.3 在HfO_2基底上合成MoS_2的Raman/PL分析 | 第43-46页 |
| 3.3.1.4 TEM和XPS分析 | 第46-47页 |
| 3.3.2 样品的电学性能表征分析 | 第47-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 二维SnSe_2/MoS_2范德瓦尔斯异质结的生长 | 第49-65页 |
| 4.1 引言 | 第49-51页 |
| 4.2 实验部分 | 第51-54页 |
| 4.2.1 实验药品 | 第51-52页 |
| 4.2.2 实验仪器 | 第52-53页 |
| 4.2.3 实验过程 | 第53-54页 |
| 4.2.3.1 在SiO_2/Si基底上合成单层MoS_2 | 第53页 |
| 4.2.3.2 SnSe_2/MoS_2异质结生长 | 第53-54页 |
| 4.2.3.3 材料表征 | 第54页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第54-64页 |
| 4.3.1 SnSe_2/MoS_2 vdWs异质结的OM、AFM及SEM分析 | 第54-56页 |
| 4.3.2 SnSe_2/MoS_2异质结的生长机理 | 第56-57页 |
| 4.3.3 SnSe_2/MoS_2异质结的TEM分析 | 第57-59页 |
| 4.3.4 SnSe_2/MoS_2异质结的Raman分析 | 第59-62页 |
| 4.3.5 SnSe_2/MoS_2异质结的PL分析 | 第62-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 总结与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第83页 |
