| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 课题背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 SnS的研究进展 | 第10-12页 |
| 1.2.1 SnS国外研究进展 | 第10-11页 |
| 1.2.2 SnS国内研究进展 | 第11-12页 |
| 1.3 CdS的研究进展 | 第12-13页 |
| 1.3.1 CdS国外研究进展 | 第12-13页 |
| 1.3.2 CdS国内研究进展 | 第13页 |
| 1.4 SnS概述 | 第13-16页 |
| 1.4.1 SnS的基本性质 | 第13-14页 |
| 1.4.2 SnS晶体结构 | 第14-15页 |
| 1.4.3 SnS的能带结构 | 第15-16页 |
| 1.5 SnS薄膜生长方法 | 第16-19页 |
| 1.5.1 化学水浴法 | 第16-17页 |
| 1.5.2 电沉积法 | 第17页 |
| 1.5.3 化学气相沉积法(CVD) | 第17-18页 |
| 1.5.4 原子层沉积(ALD) | 第18-19页 |
| 1.5.5 热蒸发法 | 第19页 |
| 1.6 CdS概述 | 第19-20页 |
| 1.7 本论文的主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 SnS薄膜与CdS薄膜的制备工艺及表征方法 | 第21-26页 |
| 2.1 SnS的制备原理 | 第21-23页 |
| 2.1.1 电沉积工艺 | 第21-22页 |
| 2.1.2 SnS薄膜的沉积原理 | 第22-23页 |
| 2.2 CdS的制备工艺 | 第23-24页 |
| 2.3 表征技术 | 第24-26页 |
| 2.3.1 晶体结构表征方法 | 第24页 |
| 2.3.2 薄膜微观组织表征方法 | 第24页 |
| 2.3.3 薄膜光学性能表证方法 | 第24-25页 |
| 2.3.4 拉曼散射表征 | 第25页 |
| 2.3.5 霍尔表征 | 第25页 |
| 2.3.6 X射线光电子能谱表征 | 第25页 |
| 2.3.7 伏安特性表征 | 第25-26页 |
| 第3章 SnS薄膜的制备及性能分析 | 第26-45页 |
| 3.1 电沉积法制备SnS薄膜 | 第26-27页 |
| 3.1.1 实验试剂及仪器 | 第26页 |
| 3.1.2 实验装置 | 第26-27页 |
| 3.1.3 制备过程 | 第27页 |
| 3.2 电流密度对薄膜的影响 | 第27-30页 |
| 3.2.1 薄膜的物相分析 | 第27-29页 |
| 3.2.2 薄膜的形貌分析 | 第29-30页 |
| 3.3 反应物浓度对薄膜的影响 | 第30-32页 |
| 3.3.1 薄膜的物相分析 | 第30-31页 |
| 3.3.2 薄膜的形貌分析 | 第31-32页 |
| 3.4 溶液pH对薄膜的影响 | 第32-35页 |
| 3.4.1 薄膜的物相分析 | 第32-34页 |
| 3.4.2 薄膜的形貌分析 | 第34-35页 |
| 3.5 EDTA对SnS薄膜的影响 | 第35-39页 |
| 3.5.1 薄膜的物相分析 | 第35-36页 |
| 3.5.2 薄膜的形貌分析 | 第36-37页 |
| 3.5.3 薄膜的光学性能分析 | 第37-39页 |
| 3.5.4 薄膜的成分分析 | 第39页 |
| 3.6 退火温度对SnS薄膜的影响 | 第39-44页 |
| 3.6.1 薄膜的物相分析 | 第39-41页 |
| 3.6.2 薄膜的形貌分析 | 第41-42页 |
| 3.6.3 薄膜的光学性能分析 | 第42-43页 |
| 3.6.4 薄膜的成分分析 | 第43-44页 |
| 3.7 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 CdS薄膜的制备及性能分析 | 第45-66页 |
| 4.1 电沉积法制备CdS薄膜 | 第45-46页 |
| 4.1.1 实验试剂及仪器 | 第45页 |
| 4.1.2 实验装置 | 第45-46页 |
| 4.1.3 制备过程 | 第46页 |
| 4.2 反应温度对CdS薄膜的影响 | 第46-50页 |
| 4.2.1 薄膜的物相分析 | 第46-48页 |
| 4.2.2 薄膜的形貌分析 | 第48-49页 |
| 4.2.3 薄膜的光学性能分析 | 第49-50页 |
| 4.3 溶液pH对CdS薄膜的影响 | 第50-54页 |
| 4.3.1 薄膜的物相分析 | 第50-52页 |
| 4.3.2 薄膜的形貌分析 | 第52-53页 |
| 4.3.3 薄膜的光学性能分析 | 第53-54页 |
| 4.4 硫脲浓度对CdS薄膜的影响 | 第54-57页 |
| 4.4.1 薄膜的物相分析 | 第54-55页 |
| 4.4.2 薄膜的形貌分析 | 第55-56页 |
| 4.4.3 薄膜的光学性能分析 | 第56-57页 |
| 4.5 氯化铵浓度对CdS薄膜的影响 | 第57-62页 |
| 4.5.1 薄膜的物相分析 | 第57-59页 |
| 4.5.2 薄膜的形貌分析 | 第59-61页 |
| 4.5.3 薄膜的光学性能分析 | 第61-62页 |
| 4.6 退火对CdS薄膜的影响 | 第62-65页 |
| 4.6.1 薄膜的物相分析 | 第62-63页 |
| 4.6.2 薄膜的形貌分析 | 第63页 |
| 4.6.3 薄膜的光学性能分析 | 第63-64页 |
| 4.6.4 薄膜的成分分析 | 第64-65页 |
| 4.7 本章小结 | 第65-66页 |
| 第5章 CdS/SnS太阳能电池制备及性能 | 第66-69页 |
| 5.1 Al作为接触电极的CdS/SnS太阳能电池的制备 | 第66-67页 |
| 5.2 Mo作为接触电极的CdS/SnS太阳能电池的制备 | 第67-68页 |
| 5.3 本章小结 | 第68-69页 |
| 结论 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
