摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-18页 |
1.1 论文的选题背景及其研究意义 | 第11-12页 |
1.2 薄膜传感器的国内外发展现状 | 第12-14页 |
1.3 介质绝缘薄膜的国内外研究现状 | 第14-16页 |
1.4 论文的主要研究内容 | 第16-18页 |
第二章 溅射镀膜基础理论及试验设备 | 第18-32页 |
2.1 溅射镀膜基础理论 | 第18-22页 |
2.1.1 溅射镀膜理论 | 第18-20页 |
2.1.2 辉光放电 | 第20-21页 |
2.1.3 影响溅射薄膜生长的因素 | 第21-22页 |
2.2 试验装置 | 第22-28页 |
2.2.1 磁控溅射沉积系统 | 第23-25页 |
2.2.2 离子束沉积系统 | 第25-26页 |
2.2.3 试验装置其他组件 | 第26-28页 |
2.3 薄膜样品的分析检测 | 第28-31页 |
2.3.1 薄膜厚度的测量 | 第28页 |
2.3.2 薄膜成分的分析 | 第28-29页 |
2.3.3 薄膜结构的分析 | 第29页 |
2.3.4 薄膜的表面粗糙度分析 | 第29-30页 |
2.3.5 薄膜形貌结构的分析 | 第30-31页 |
2.3.6 薄膜的表面硬度分析 | 第31页 |
2.4 本章小结 | 第31-32页 |
第三章 氮化硅绝缘薄膜的制备工艺试验方法 | 第32-42页 |
3.1 氮化硅薄膜的制备方法 | 第32-36页 |
3.1.1 直接氮化法 | 第32页 |
3.1.2 物理气相沉积法(PVD) | 第32-34页 |
3.1.3 化学气相沉积法(CVD) | 第34-36页 |
3.2 氮化硅薄膜试验制备准备过程 | 第36-39页 |
3.2.1 薄膜传感器基底的选择 | 第36-37页 |
3.2.2 不锈钢基底的制备与检测 | 第37-38页 |
3.2.3 靶材的选用 | 第38-39页 |
3.3 氮化硅绝缘薄膜的制备方法和制备工艺 | 第39-41页 |
3.3.1 基底的清洗 | 第39页 |
3.3.2 氮化硅绝缘薄膜的制备方法 | 第39-40页 |
3.3.3 氮化硅绝缘薄膜的制备工艺 | 第40-41页 |
3.4 本章小结 | 第41-42页 |
第四章 沉积参数对薄膜质量特性的影响及沉积参数的优化研究 | 第42-66页 |
4.1 基于单晶硅靶材的沉积参数对氮化硅薄膜质量特性的影响 | 第42-51页 |
4.1.1 溅射功率对氮化硅薄膜质量特性的影响 | 第42-44页 |
4.1.2 工作压强对氮化硅薄膜质量特性的影响 | 第44-46页 |
4.1.3 气体流量比对氮化硅薄膜质量特性的影响 | 第46-49页 |
4.1.4 基底温度对氮化硅薄膜质量特性的影响 | 第49-51页 |
4.2 基于正交试验的单晶硅靶材制备氮化硅薄膜沉积参数的优化研究 | 第51-59页 |
4.2.1 正交试验设计 | 第51-52页 |
4.2.2 薄膜质量特性的极差分析 | 第52-56页 |
4.2.3 薄膜质量特性的方差分析 | 第56-57页 |
4.2.4 薄膜质量特性的经验公式 | 第57-59页 |
4.3 基于氮化硅靶材的沉积参数对氮化硅薄膜质量特性的影响 | 第59-64页 |
4.3.1 溅射功率对氮化硅薄膜质量特性的影响 | 第59-61页 |
4.3.2 工作压强对氮化硅薄膜质量特性的影响 | 第61-63页 |
4.3.3 氮气流量对氮化硅薄膜质量特性的影响 | 第63-64页 |
4.4 本章小结 | 第64-66页 |
第五章 射频磁控溅射反应法制备氮化硅薄膜的性能研究 | 第66-81页 |
5.1 氮化硅薄膜表面形貌及成分分析 | 第66-72页 |
5.1.1 不同基底温度下薄膜表面形貌结构及成分分析 | 第66-69页 |
5.1.2 不同溅射功率下薄膜表面形貌结构及成分分析 | 第69-72页 |
5.2 氮化硅薄膜显微硬度分析 | 第72-76页 |
5.2.1 基底温度对氮化硅薄膜硬度的影响 | 第72-74页 |
5.2.2 氮气流量对氮化硅薄膜硬度的影响 | 第74-76页 |
5.3 退火热处理对氮化硅薄膜性能的影响 | 第76-80页 |
5.4 本章小结 | 第80-81页 |
第六章 结论与展望 | 第81-83页 |
6.1 结论 | 第81-82页 |
6.2 创新点 | 第82页 |
6.3 展望 | 第82-83页 |
参考文献 | 第83-87页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及所取得的研究成果 | 第87-88页 |
致谢 | 第88-89页 |