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金属薄膜传感器中氮化硅薄膜的制备及工艺试验研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第11-18页
    1.1 论文的选题背景及其研究意义第11-12页
    1.2 薄膜传感器的国内外发展现状第12-14页
    1.3 介质绝缘薄膜的国内外研究现状第14-16页
    1.4 论文的主要研究内容第16-18页
第二章 溅射镀膜基础理论及试验设备第18-32页
    2.1 溅射镀膜基础理论第18-22页
        2.1.1 溅射镀膜理论第18-20页
        2.1.2 辉光放电第20-21页
        2.1.3 影响溅射薄膜生长的因素第21-22页
    2.2 试验装置第22-28页
        2.2.1 磁控溅射沉积系统第23-25页
        2.2.2 离子束沉积系统第25-26页
        2.2.3 试验装置其他组件第26-28页
    2.3 薄膜样品的分析检测第28-31页
        2.3.1 薄膜厚度的测量第28页
        2.3.2 薄膜成分的分析第28-29页
        2.3.3 薄膜结构的分析第29页
        2.3.4 薄膜的表面粗糙度分析第29-30页
        2.3.5 薄膜形貌结构的分析第30-31页
        2.3.6 薄膜的表面硬度分析第31页
    2.4 本章小结第31-32页
第三章 氮化硅绝缘薄膜的制备工艺试验方法第32-42页
    3.1 氮化硅薄膜的制备方法第32-36页
        3.1.1 直接氮化法第32页
        3.1.2 物理气相沉积法(PVD)第32-34页
        3.1.3 化学气相沉积法(CVD)第34-36页
    3.2 氮化硅薄膜试验制备准备过程第36-39页
        3.2.1 薄膜传感器基底的选择第36-37页
        3.2.2 不锈钢基底的制备与检测第37-38页
        3.2.3 靶材的选用第38-39页
    3.3 氮化硅绝缘薄膜的制备方法和制备工艺第39-41页
        3.3.1 基底的清洗第39页
        3.3.2 氮化硅绝缘薄膜的制备方法第39-40页
        3.3.3 氮化硅绝缘薄膜的制备工艺第40-41页
    3.4 本章小结第41-42页
第四章 沉积参数对薄膜质量特性的影响及沉积参数的优化研究第42-66页
    4.1 基于单晶硅靶材的沉积参数对氮化硅薄膜质量特性的影响第42-51页
        4.1.1 溅射功率对氮化硅薄膜质量特性的影响第42-44页
        4.1.2 工作压强对氮化硅薄膜质量特性的影响第44-46页
        4.1.3 气体流量比对氮化硅薄膜质量特性的影响第46-49页
        4.1.4 基底温度对氮化硅薄膜质量特性的影响第49-51页
    4.2 基于正交试验的单晶硅靶材制备氮化硅薄膜沉积参数的优化研究第51-59页
        4.2.1 正交试验设计第51-52页
        4.2.2 薄膜质量特性的极差分析第52-56页
        4.2.3 薄膜质量特性的方差分析第56-57页
        4.2.4 薄膜质量特性的经验公式第57-59页
    4.3 基于氮化硅靶材的沉积参数对氮化硅薄膜质量特性的影响第59-64页
        4.3.1 溅射功率对氮化硅薄膜质量特性的影响第59-61页
        4.3.2 工作压强对氮化硅薄膜质量特性的影响第61-63页
        4.3.3 氮气流量对氮化硅薄膜质量特性的影响第63-64页
    4.4 本章小结第64-66页
第五章 射频磁控溅射反应法制备氮化硅薄膜的性能研究第66-81页
    5.1 氮化硅薄膜表面形貌及成分分析第66-72页
        5.1.1 不同基底温度下薄膜表面形貌结构及成分分析第66-69页
        5.1.2 不同溅射功率下薄膜表面形貌结构及成分分析第69-72页
    5.2 氮化硅薄膜显微硬度分析第72-76页
        5.2.1 基底温度对氮化硅薄膜硬度的影响第72-74页
        5.2.2 氮气流量对氮化硅薄膜硬度的影响第74-76页
    5.3 退火热处理对氮化硅薄膜性能的影响第76-80页
    5.4 本章小结第80-81页
第六章 结论与展望第81-83页
    6.1 结论第81-82页
    6.2 创新点第82页
    6.3 展望第82-83页
参考文献第83-87页
攻读硕士学位期间发表的论文及所取得的研究成果第87-88页
致谢第88-89页

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