| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 GaN材料概论 | 第15-16页 |
| 1.2 AlGaN/GaN HEMT的概况 | 第16-19页 |
| 1.2.1 AlGaN/GaN HEMT发展情况 | 第16-17页 |
| 1.2.2 AlGaN/GaN HEMT器件的击穿电压研究现状 | 第17-19页 |
| 1.3 本文的主要工作安排 | 第19-21页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT的制备工艺与原理 | 第21-31页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT的制备工艺 | 第21-26页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN异质结材料的形成 | 第21-22页 |
| 2.1.2 AlGaN/GaN HEMT的制备工艺流程 | 第22-26页 |
| 2.2 AlGaN/GaNHEMT直流特性与频率特性 | 第26-28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-31页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT场板结构分析 | 第31-42页 |
| 3.1 场板结构介绍以及提高击穿电压的机理 | 第31-35页 |
| 3.1.1 场板结构的介绍 | 第31-33页 |
| 3.1.2 场板提高击穿电压机理 | 第33-35页 |
| 3.2 Silvaco仿真软件基本介绍 | 第35-37页 |
| 3.2.1 本次仿真所运用的基本方程 | 第35-36页 |
| 3.2.2 物理效应及模型 | 第36-37页 |
| 3.3 场板对击穿电压影响仿真结果分析 | 第37-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 场板结构对击穿电压的影响 | 第42-60页 |
| 4.1 实验材料的选取以及基本工艺过程 | 第42-44页 |
| 4.2 器件基本参数以及实验数据分析 | 第44-48页 |
| 4.2.1 场板长度变化对击穿电压的影响 | 第46-47页 |
| 4.2.2 场板下钝化层厚度变化对击穿电压的影响 | 第47-48页 |
| 4.3 栅泄漏电流对AlGaN/GaN HEMT击穿电压的影响 | 第48-55页 |
| 4.3.1 AlGaN/GaN HEMT关态漏电的分类 | 第48-49页 |
| 4.3.2 肖特基电流的形成机制 | 第49-52页 |
| 4.3.3 肖特基特性与击穿电压的关系 | 第52-55页 |
| 4.4 不同功率F等离子体刻蚀对肖特基正向特性的影响 | 第55-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 总结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 作者简介 | 第69页 |
