| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4页 |
| 引言 | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-25页 |
| 1.1 阻变存储器概述 | 第8-9页 |
| 1.2 基于金属离子迁移的阻变存储器简介 | 第9-13页 |
| 1.2.1 阻变原理概述 | 第9-10页 |
| 1.2.2 导电细丝形成断裂机理 | 第10-13页 |
| 1.3 基于氧离子迁移的阻变存储器简介 | 第13-16页 |
| 1.3.1 阻变工作原理概述 | 第14页 |
| 1.3.2 导电细丝性质研究 | 第14-16页 |
| 1.4 阻变存储器研究现状 | 第16-21页 |
| 1.5 基于二氧化钛薄膜的阻变存储器 | 第21-23页 |
| 1.6 本论文的研究意义与内容 | 第23-25页 |
| 第二章 Ag/TiO_2/Pt存储器阻变特性研究 | 第25-34页 |
| 2.1 Ag/TiO_2/Pt器件制备及IV测试方法介绍 | 第25-26页 |
| 2.1.1 TiO_2薄膜制备及表征 | 第25-26页 |
| 2.1.2 Ag/TiO_2/Pt器件结构及IV测试方法 | 第26页 |
| 2.2 Ag/TiO_2/Pt器件IV特性测试 | 第26-31页 |
| 2.2.1 Ag/TiO_2/Pt器件形成过程研究 | 第26-28页 |
| 2.2.2 Ag/TiO_2/Pt器件的开启过程 | 第28-29页 |
| 2.2.3 Ag/TiO_2/Pt器件的关闭过程 | 第29-30页 |
| 2.2.4 Ag/TiO_2/Pt器件的阻变参数 | 第30-31页 |
| 2.3 Ag/TiO_2/Pt器件的多阻态存储 | 第31-33页 |
| 2.3.1 控制限制电流实现Ag/TiO_2/Pt器件多阻态存储 | 第31-32页 |
| 2.3.2 控制关闭电压实现Ag/TiO_2/Pt器件多阻态存储 | 第32-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 氮化钛热退火制备阻变存储器 | 第34-44页 |
| 3.1 TiN热氧化制备多孔TiO_2:N薄膜 | 第34-39页 |
| 3.1.1 TiN热退火薄膜X射线衍射 | 第34-35页 |
| 3.1.2 TiN热退火薄膜透射光谱 | 第35-36页 |
| 3.1.3 TiN热退火薄膜X射线光电子能谱 | 第36-37页 |
| 3.1.4 TiN热退火薄膜形貌 | 第37-39页 |
| 3.2 TiN热氧化制备多孔薄膜构建的Ag/TiO_2:N/Pt器件阻变性质 | 第39-42页 |
| 3.2.1 Ag/TiO_2:N/Pt器件形成过程 | 第39-41页 |
| 3.2.2 Ag/TiO_2:N/Pt器件阻变参数稳定性 | 第41-42页 |
| 3.2.3 Ag/TiO_2:N/Pt器件写入/擦除速度 | 第42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 基于氧离子迁移的TiO_2阻变存储器电极影响 | 第44-50页 |
| 4.1 基于氧离子迁移的TiO_2阻变器件制备 | 第44-45页 |
| 4.2 Pt顶电极对器件阻变性质影响 | 第45-47页 |
| 4.3 Al顶电极对器件阻变性质影响 | 第47-49页 |
| 4.3.1 Al/TiO_2/ITO器件的电学特性 | 第47-48页 |
| 4.3.2 Al/TiO_2/ITO器件阻变机理 | 第48-49页 |
| 4.4 小结 | 第49-50页 |
| 第五章 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
