250V抗辐射VDMOS的研究与设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 课题背景 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状与发展趋势 | 第9-11页 |
| 1.2.1 研究现状 | 第9-10页 |
| 1.2.2 发展趋势 | 第10-11页 |
| 1.3 VDMOS抗辐射技术标准和要求 | 第11页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第11-14页 |
| 第二章 VDMOS器件工作原理及主要参数 | 第14-28页 |
| 2.1 VDMOS器件的工作原理 | 第14-16页 |
| 2.2 VDMOS器件主要参数 | 第16-22页 |
| 2.2.1 阈值电压 | 第17-18页 |
| 2.2.2 导通电阻 | 第18-21页 |
| 2.2.3 击穿电压 | 第21-22页 |
| 2.3 VDMOS器件终端结构 | 第22-27页 |
| 2.3.1 场板 | 第23-24页 |
| 2.3.2 结终端扩展 | 第24页 |
| 2.3.3 场限环 | 第24-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 辐射对VDMOS器件性能的影响 | 第28-50页 |
| 3.1 单粒子烧毁(SEB) | 第28-38页 |
| 3.1.1 三极管的二次击穿 | 第28-29页 |
| 3.1.2 VDMOS器件SEB的诱发机理 | 第29-30页 |
| 3.1.3 VDMOS器件源漏击穿特性 | 第30-36页 |
| 3.1.4 VDMOS器件SEB的失效鉴定 | 第36页 |
| 3.1.5 辐射离子LET值对SEB现象的影响 | 第36-38页 |
| 3.2 单粒子栅穿效应(SEGR) | 第38-44页 |
| 3.2.1 SEGR诱发机理 | 第38-41页 |
| 3.2.2 SEGR鉴定方法及分析模型 | 第41-43页 |
| 3.2.3 辐射离子种类对SEGR失效的影响 | 第43-44页 |
| 3.3 总剂量效应 | 第44-48页 |
| 3.3.1 总剂量效应对阈值电压的影响 | 第44-47页 |
| 3.3.2 总剂量效应对导通电阻的影响 | 第47页 |
| 3.3.3 总剂量效应对击穿电压的影响 | 第47-48页 |
| 3.3.4 总剂量效应对其它参数的影响 | 第48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 VDMOS辐射加固方法 | 第50-72页 |
| 4.1 一般抗辐射技术的介绍 | 第50-51页 |
| 4.1.1 屏蔽和辐射规避 | 第50页 |
| 4.1.2 微电子抗辐射加固 | 第50-51页 |
| 4.2 SEB加固方法及其仿真研究 | 第51-63页 |
| 4.2.1 P~+工艺参数的影响 | 第52-54页 |
| 4.2.2 源区N~+浓度的影响 | 第54-55页 |
| 4.2.3 缓冲层浓度的优化 | 第55-62页 |
| 4.2.4 缓冲层厚度的优化 | 第62-63页 |
| 4.3 SEGR加固方法及仿真研究 | 第63-71页 |
| 4.3.1 辐射离子入射位置对SEGR失效的影响 | 第63-65页 |
| 4.3.2 JFET区宽度对SEGR失效的影响 | 第65-67页 |
| 4.3.3 一种抗SEGR的VDMOS器件结构 | 第67-71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 250V抗辐射VDMOS器件的设计 | 第72-80页 |
| 5.1 器件参数指标 | 第72页 |
| 5.2 主要参数的设计 | 第72-74页 |
| 5.2.1 阈值电压的设计 | 第72页 |
| 5.2.2 击穿电压的设计 | 第72-73页 |
| 5.2.3 导通电阻的计算 | 第73-74页 |
| 5.3 器件工艺流程及版图 | 第74-78页 |
| 5.4 器件仿真结果 | 第78-79页 |
| 5.5 本章小结 | 第79-80页 |
| 第六章 总结与展望 | 第80-82页 |
| 6.1 总结 | 第80页 |
| 6.2 展望 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 作者简介 | 第88页 |
