基于双重栅极绝缘层的双栅MOSFET研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 MOSFET研究与进展 | 第9-13页 |
| 1.2 双重栅极绝缘层结构 | 第13页 |
| 1.3 高介电常数材料 | 第13-14页 |
| 1.4 主要内容及改进结构 | 第14-16页 |
| 第二章 双重栅极绝缘层结构与特性 | 第16-23页 |
| 2.1 双重栅极绝缘层结构 | 第16-17页 |
| 2.2 工作原理 | 第17页 |
| 2.3 基本特性 | 第17-21页 |
| 2.3.1 电场和电势分布 | 第18-19页 |
| 2.3.2 I_D-V_(DS)曲线 | 第19-21页 |
| 2.3.3 I_D-V_(GS)曲线 | 第21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 DIDG MOSFET模型 | 第23-28页 |
| 3.1 最小电势点电势模型 | 第23-26页 |
| 3.1.1 源端势场分析 | 第23-24页 |
| 3.1.2 漏端势场分析 | 第24-26页 |
| 3.2 亚阈值电流模型 | 第26-27页 |
| 3.3 阈值电压模型 | 第27页 |
| 3.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第四章 DIDG MOSFET仿真分析 | 第28-46页 |
| 4.1 MOSFET仿真 | 第28-29页 |
| 4.1.1 仿真工具 | 第28-29页 |
| 4.1.2 模型选择 | 第29页 |
| 4.1.3 相关参数 | 第29页 |
| 4.2 DIDG MOSFET特性仿真 | 第29-39页 |
| 4.2.1 电场和电势 | 第29-32页 |
| 4.2.2 I_D-V_(DS)特性 | 第32页 |
| 4.2.3 I_D-V_(DS)特性 | 第32-33页 |
| 4.2.4 亚阈值电流 | 第33-36页 |
| 4.2.5 阈值电压与亚阈值斜率 | 第36-37页 |
| 4.2.6 电子平均速度 | 第37-38页 |
| 4.2.7 电流密度 | 第38-39页 |
| 4.3 性能优化设计 | 第39-44页 |
| 4.3.1 电场和电势优化 | 第39-41页 |
| 4.3.2 I_D-V_(DS)优化 | 第41-42页 |
| 4.3.3 I_D-V_(GS)优化 | 第42页 |
| 4.3.4 阈值电压与亚阂值斜率优化 | 第42-43页 |
| 4.3.5 电子平均速度优化 | 第43-44页 |
| 4.3.6 电流密度优化 | 第44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 结束语 | 第46-48页 |
| 5.1 本文总结 | 第46-47页 |
| 5.2 展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-54页 |
| 附录 | 第54-56页 |
| 附图 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第58页 |
