首页--数理科学和化学论文--化学论文--物理化学(理论化学)、化学物理学论文

MoS2/g-C3N4异质结薄膜制备及其光电化学全分解水研究

中文摘要第3-5页
英文摘要第5-7页
1 绪论第12-34页
    1.1 引言第12-17页
        1.1.1 水的分解第12-13页
        1.1.2 光催化裂解水第13-14页
        1.1.3 光电化学裂解水第14-17页
    1.2 半导体材料裂解水的现状第17-19页
    1.3 聚合物半导体g-C_3N_4第19-26页
        1.3.1 g-C_3N_4的基本结构及性质第19-21页
        1.3.2 g-C_3N_4光催化性能的研究现状第21-26页
    1.4 窄带隙半导体Mo S_2第26-29页
        1.4.1 Mo S_2的基本结构及性质第26-28页
        1.4.2 Mo S_2的光催化性能第28-29页
    1.5 g-C_3N_4与Mo S_2的复合现状第29-31页
    1.6 本文的选题依据和主要研究内容第31-33页
    1.7 本文的创新点第33-34页
2 样品的制备及表征方法第34-50页
    2.1 样品的制备第34-36页
        2.1.1 水热法第34页
        2.1.2 CVD方法第34-35页
        2.1.3 PLD方法第35-36页
    2.2 性能评价手段第36-48页
        2.2.1 XRD第36-37页
        2.2.2 Raman和PL谱第37-39页
        2.2.3 XPS谱第39页
        2.2.4 SEM第39-40页
        2.2.5 TEM第40-41页
        2.2.6 TGA第41-42页
        2.2.7 吸收谱第42-44页
        2.2.8 Hall测试第44页
        2.2.9 PEC性能第44-47页
        2.2.10 气相色谱第47-48页
    2.3 小结第48-50页
3 g-C_3N_4薄膜的制备及光电化学性能研究第50-60页
    3.1 引言第50页
    3.2 g-C_3N_4薄膜的制备及表征测试手段第50-52页
        3.2.1 g-C_3N_4薄膜的制备第50-51页
        3.2.2 表征技术第51-52页
        3.2.3 光电化学测试第52页
    3.3 g-C_3N_4薄膜的结构、成分分析第52-57页
        3.3.1 XRD结果及分析第52-53页
        3.3.2 SEM结果及分析第53-54页
        3.3.3 XPS结果及分析第54-55页
        3.3.4 g-C_3N_4薄膜的PEC性能第55-57页
    3.5 g-C_3N_4薄膜能带位置的确定第57-58页
    3.6 电荷转移讨论第58-59页
    3.7 小结第59-60页
4 超薄Mo S_2纳米片的制备及其电学性质的调控第60-80页
    4.1 引言第60-61页
    4.2 实验和计算方法第61-62页
        4.2.1 超薄Mo S_2纳米片的水热合成第61-62页
        4.2.2 表征技术第62页
        4.2.3 计算模型及方法第62页
    4.3 超薄Mo S_2纳米片的结构、光学性质及吸附能力第62-70页
        4.3.1 原料配比对Mo S_2结构及稳定性的影响第62-65页
        4.3.2 化学计量比合成Mo S_2的SEM分析第65页
        4.3.3 水热时间对Mo S_2结构和形貌的影响第65-67页
        4.3.4 超薄Mo S_2纳米片的光致发光现象第67-68页
        4.3.5 超薄Mo S_2纳米片的吸附能力研究第68-70页
    4.4 P插层对Mo S_2纳米片的结构及电学性质的影响第70-78页
        4.4.1 P插层对Mo S_2晶体结构的影响第70页
        4.4.2 P插层对Mo S_2形貌结构的影响第70-72页
        4.4.3 P插层对Mo S_2拉曼振动的影响第72页
        4.4.4 理论模拟P掺杂的存在形式第72-73页
        4.4.5 P插层的掺杂形式对Raman结果的解释第73-74页
        4.4.6 P插层对Mo S_2光学吸收的影响第74-75页
        4.4.7 理论预测P插层对Mo S_2导电性的影响第75-77页
        4.4.8 Hall测试验证P插层对Mo S_2导电性的影响第77-78页
    4.5 结论第78-80页
5 Mo S_2/g-C_3N_4 p-n异质结薄膜的制备及其光电化学性能第80-98页
    5.1 引言第80-81页
    5.2 样品的制备及表征第81-83页
        5.2.1 异质薄膜的制备第82页
        5.2.2 材料表征技术第82页
        5.2.3 光电化学(PEC)测试第82-83页
    5.3 结果和讨论第83-96页
        5.3.1 薄膜的结构和成分第83-88页
        5.3.2 薄膜的形貌第88-89页
        5.3.3 薄膜的光学性质第89-90页
        5.3.4 薄膜的PEC性能第90-92页
        5.3.5 薄膜的PL光谱第92-93页
        5.3.6 电荷转移机制第93-96页
    5.4 小结第96-98页
6 Mo S_2/g-C_3N_4 n-n型异质结薄膜光电化学全分解水第98-106页
    6.1 引言第98页
    6.2 薄膜制备及表征第98-100页
        6.2.1 n-n型Mo S_2/g-C_3N_4异质结薄膜的制备第98-99页
        6.2.2 薄膜表征第99页
        6.2.3 光电化学性能测试第99页
        6.2.4 析氢测试第99-100页
    6.3 结果及讨论第100-105页
        6.3.1 薄膜的结构和成分第100-101页
        6.3.2 薄膜形貌第101-102页
        6.3.3 薄膜的PEC性能第102-103页
        6.3.4 薄膜的析氢性能第103-104页
        6.3.5 析氢机理分析第104-105页
    6.4 小结第105-106页
7 总结与展望第106-108页
    7.1 主要结论第106-107页
    7.2 展望第107-108页
致谢第108-110页
参考文献第110-126页
附录第126页
    A. 作者在攻读博士学位期间发表的论文目录第126页

论文共126页,点击 下载论文
上一篇:网络口碑、目的地信任和出游意向的关系研究
下一篇:万寿菊(Tagetes erecta)VIGS体系的建立与优化