| 中文摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-34页 |
| 1.1 石墨烯简介 | 第12-18页 |
| 1.1.1 石墨烯的结构 | 第12-13页 |
| 1.1.2 石墨烯的特性 | 第13-15页 |
| 1.1.3 石墨烯基无机纳米复合材料概述 | 第15-18页 |
| 1.2 石墨烯基ZnO纳米复合材料简介 | 第18-22页 |
| 1.2.1 ZnO的结构与特性 | 第19-21页 |
| 1.2.2 石墨烯基ZnO纳米复合材料的研究进展及应用 | 第21-22页 |
| 1.3 石墨烯基拓扑绝缘体复合材料简介 | 第22-26页 |
| 1.3.1 拓扑绝缘体材料的结构与特性 | 第22-24页 |
| 1.3.2 拓扑绝缘体的研究进展及应用 | 第24-25页 |
| 1.3.3 石墨烯基拓扑绝缘体复合材料的研究进展及应用 | 第25-26页 |
| 1.4 论文的选题依据以及内容概要 | 第26-29页 |
| 参考文献 | 第29-34页 |
| 第二章 石墨烯基无机纳米复合材料的制备方法与表征技术 | 第34-47页 |
| 2.1 实验设备 | 第34-35页 |
| 2.2 石墨烯基无机纳米复合材料的制备 | 第35-39页 |
| 2.2.1 石墨烯的制备 | 第35-36页 |
| 2.2.2 石墨烯的转移 | 第36-38页 |
| 2.2.3 ZnO纳米结构的制备 | 第38页 |
| 2.2.4 拓扑绝缘体（Bi_2Se_3）的制备 | 第38-39页 |
| 2.3 在光纤锥形区沉积石墨烯基拓扑绝缘体（Bi_2Se_3，Bi2Te3）复合材料 | 第39-41页 |
| 2.3.1 锥形光纤的制备 | 第39页 |
| 2.3.2 在光纤锥形区直接生长石墨烯 | 第39-40页 |
| 2.3.3 在光纤锥形区生长拓扑绝缘体（Bi_2Se_3，Bi2Te3） | 第40-41页 |
| 2.4 石墨烯基无机纳米复合材料的表征技术 | 第41-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第三章 Au辅助制备Graphene-ZnO纳米棒复合结构 | 第47-57页 |
| 3.1 背景介绍 | 第47-48页 |
| 3.2 实验方法 | 第48页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第48-54页 |
| 3.3.1 在Si衬底上合成Graphene-ZnO纳米棒复合结构的表征 | 第48-50页 |
| 3.3.2 在Au/Si和Au/graphene/Si衬底上合成ZnO纳米棒的形貌和成分分析 | 第50-51页 |
| 3.3.3 Au层和graphene层在合成ZnO纳米结构中的作用 | 第51-53页 |
| 3.3.4 Graphene-ZnO纳米棒复合结构的生长机制 | 第53-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第四章 Zn预沉积层辅助生长Graphene-ZnO复合纳米结构 | 第57-67页 |
| 4.1 背景介绍 | 第57-58页 |
| 4.2 实验方法 | 第58页 |
| 4.3 实验结果和讨论 | 第58-63页 |
| 4.3.1 Graphene-ZnO复合纳米结构的Raman表征 | 第58-59页 |
| 4.3.2 Graphene-ZnO复合纳米结构的XRD表征 | 第59-60页 |
| 4.3.3 Graphene-ZnO复合纳米结构的形貌和微结构表征 | 第60-61页 |
| 4.3.4 Graphene-ZnO复合纳米结构的发光特性分析 | 第61-62页 |
| 4.3.5 Graphene-ZnO复合纳米结构的生长机制 | 第62-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 第五章 Graphene-Bi_2Se_3纳米片复合材料的制备及应用 | 第67-83页 |
| 5.1 背景介绍 | 第67-68页 |
| 5.2 实验方法 | 第68-69页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第69-81页 |
| 5.3.1 Se辅助生长Bi_2Se_3纳米片 | 第69-73页 |
| 5.3.2 Se辅助生长Graphene-Bi_2Se_3纳米片复合材料 | 第73-78页 |
| 5.3.3 不同的Se预沉积层对Graphene-Bi_2Se_3纳米片复合材料的影响 | 第78-79页 |
| 5.3.4 Graphnene-Bi_2Se_3纳米片复合材料在固态激光调Q中的应用 | 第79-81页 |
| 5.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-83页 |
| 第六章 在光纤锥形区合成石墨烯基拓扑绝缘体复合材料及应用 | 第83-97页 |
| 6.1 背景介绍 | 第83-84页 |
| 6.2 实验方法 | 第84-85页 |
| 6.3 实验结果与讨论 | 第85-94页 |
| 6.3.1 在光纤锥形区直接生长石墨烯的表征 | 第85-86页 |
| 6.3.2 在光纤锥形区直接生长Bi_2Se_3的形貌和结构分析 | 第86-88页 |
| 6.3.3 在沉积石墨烯的光纤锥形区生长Bi_2Se_3的形貌和结构分析 | 第88-91页 |
| 6.3.4 在沉积石墨烯的光纤锥形区生长Bi2Te3的形貌和结构分析 | 第91-93页 |
| 6.3.5 Graphene-Bi_2Se_3复合材料在激光锁模中的应用分析 | 第93-94页 |
| 6.4 本章小结 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-97页 |
| 第七章 总结和展望 | 第97-99页 |
| 7.1 主要结论 | 第97-98页 |
| 7.2 主要创新点 | 第98页 |
| 7.3 展望 | 第98-99页 |
| 攻读博士学位期间完成的论文 | 第99-101页 |
| 致谢 | 第101页 |
