| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-27页 |
| ·引言 | 第10-12页 |
| ·表面分析技术 | 第12-13页 |
| ·X射线光电子能谱 | 第12页 |
| ·俄歇电子能谱 | 第12-13页 |
| ·二次离子质谱 | 第13页 |
| ·表面分析技术的发展趋势 | 第13页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第13-19页 |
| ·历史背景 | 第13-15页 |
| ·扫描电子显微镜的原理及其构造 | 第15-18页 |
| ·扫描电子显微镜的性能参数 | 第18-19页 |
| ·扫描电子显微镜的应用 | 第19页 |
| ·X射线能谱仪 | 第19-25页 |
| ·历史背景 | 第19-20页 |
| ·特征X射线 | 第20-21页 |
| ·X射线能谱仪的原理及其构造 | 第21-24页 |
| ·X射线能谱仪的特点及其应用 | 第24-25页 |
| ·SEM-EDS技术在材料分析中的应用 | 第25页 |
| ·课题研究的主要内容及意义 | 第25-27页 |
| 第二章 实验设备和实验样品 | 第27-31页 |
| ·实验设备 | 第27-29页 |
| ·实验样品 | 第29-31页 |
| 第三章 硅基薄膜的分析研究 | 第31-38页 |
| ·硅基薄膜的能谱分析 | 第31-33页 |
| ·硅基SiO_2薄膜的能谱 | 第31-32页 |
| ·硅基Al2O3薄膜的能谱 | 第32-33页 |
| ·电子束加速电压的选择 | 第33-37页 |
| ·厚度为 70nm硅基SiO_2薄膜的加速电压选择 | 第33-35页 |
| ·厚度为 100nm硅基SiO_2薄膜的加速电压选择 | 第35-36页 |
| ·厚度为 100nm硅基Al2O3薄膜的加速电压选择 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 电子的非弹性散射平均自由程的计算 | 第38-56页 |
| ·电子的非弹性散射平均自由程 | 第38页 |
| ·理论基础 | 第38-40页 |
| ·Al元素中 λ 关于电子能量Ek的曲线 | 第40-43页 |
| ·Cu元素中 λ 关于电子能量Ek的曲线 | 第43-50页 |
| ·在CuKα 谱线下得到的 λ-Εk曲线 | 第43-47页 |
| ·在Cu Lα 谱线下得到的 λ-Εk曲线 | 第47-50页 |
| ·Mo元素中 λ 关于电子能量Ek的曲线 | 第50-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 多层膜的分析 | 第56-59页 |
| ·硅基Al-Cu-Mo膜的分析 | 第56-57页 |
| ·硅基Mo-Cu-Al膜的分析 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 附录 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
