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具有低热导率热电材料的第一性原理研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-9页
第一章 绪论第9-22页
   ·热电材料的研究背景和意义第9-14页
     ·热电材料的研究现状第10-11页
     ·热电材料输运特性第11-14页
       ·Seebeck系数第11-12页
       ·电导率第12-13页
       ·热导率第13-14页
   ·材料计算科学简介第14-16页
     ·量子化学的发展第15-16页
       ·价键理论第15-16页
       ·价电子对互斥理论第16页
       ·分子轨道理论第16页
   ·第一性原理研究的重要意义第16-17页
   ·密度泛函理论第17-18页
     ·绝热近似和单电子近似第17页
     ·局域密度近似第17-18页
     ·广义梯度近似第18页
     ·Kohn-Sham方程第18页
   ·本文采用主要计算软件第18-20页
     ·WIEN2k第19页
     ·BoltzTrap第19-20页
   ·本文研究意义和主要内容第20-22页
第二章 笼型化合物Ba_8T_(16)P_(30)(T=Cu,Au)第一性原理计算第22-32页
   ·研究背景第22-23页
   ·计算方法及模型第23-25页
   ·能带图和态密度的分析第25-28页
     ·Ba_8Cu_(16)P_(30)与Ba_8Au_(16)P_(30)的基本计算参数介绍第25页
     ·Ba_8Cu_(16)P_(30)与Ba_8Au_(16)P_(30)的能带图对比及分析第25-28页
   ·输运特性的分析第28-31页
     ·Ba_8Cu_(16)P_(30)与Ba_8Au_(16)P_(30)的塞贝克系数分析第28-29页
     ·Ba_8Cu_(16)P_(30)不同载流子浓度子下塞贝克系数分析第29-30页
     ·Ba_8Au_(16)P_(30)塞贝克系数及电阻率与实验对比情况第30-31页
   ·本章小结第31-32页
第三章 ATSb ( A=Li,Cs,T=Zn,Cd )化合物的热电性质研究第32-40页
   ·研究背景第32页
   ·ATSb ( A=Li,Cs,T=Zn,Cd )化合物的优化第32-34页
   ·ATSb ( A=Li,Cs,T=Zn,Cd )化合物的能带及态密度分析第34-37页
     ·ATSb ( A=Li,Cs,T=Zn,Cd )化合物能带分析第34-35页
     ·ATSb ( A=Li,Cs,T=Zn,Cd )化合物的态密度图分析第35-37页
   ·Li ZnSb系列化合物的输运特性分析第37-39页
   ·本章小结第39-40页
第四章 In_4X_3 ( X=Se,Te )的热电性质计算及分析第40-48页
   ·研究背景第40-41页
   ·计算方法第41页
   ·结果和讨论第41-46页
     ·In_4X_3 ( X=Se,Te )的能带结构第42-43页
     ·In_4X_3 ( X=Se,Te )的态密度第43-44页
     ·In_4X_3 ( X=Se,Te )的电阻率和塞贝克系数第44-46页
   ·本章小结第46-48页
第五章 结论与展望第48-50页
   ·结论第48-49页
   ·展望第49-50页
致谢第50-51页
参考文献第51-54页
附录第54页

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