导电桥接存储器的解析模型的研究

摘要	第1-6页
ABSTRACT	第6-9页
第1章 引言	第9-16页
·课题研究背景和意义	第9页
·目前通用存储器	第9-11页
·SRAM	第9-10页
·DRAM	第10页
·Flash	第10-11页
·几种新的非挥发存储器	第11-14页
·FeRAM	第11-12页
·MRAM	第12页
·PCRAM	第12-13页
·RRAM	第13-14页
·CBRAM 的发展历史及模型研究现状	第14-15页
·本论文的主要工作和论文框架	第15-16页
第2章 导电桥接存储器的基本概念	第16-26页
·细丝理论	第16-17页
·器件结构及其材料	第17-18页
·器件的工艺制程	第18-19页
·器件的特性	第19-22页
·非易失性	第19页
·器件的尺寸缩小	第19-20页
·器件转换速度	第20-21页
·器件的耐久性	第21-22页
·器件的保持时间	第22页
·CBRAM 电路	第22-26页
第3章 导电桥接存储器的物理模型	第26-33页
·三个物理过程	第26-29页
·阳极金属的溶解	第26-27页
·离子迁移	第27-28页
·还原反应	第28-29页
·细丝的生长及断裂	第29-33页
·细丝的生长和断裂	第29-31页
·细丝几何形状	第31-33页
第4章 CBRAM 解析模型	第33-44页
·Forming 过程	第33-41页
·金属阳离子的初始迁移	第33-34页
·阳离子还原及细丝生长	第34-41页
·细丝横向生长	第41-44页
第5章 模型验证	第44-49页
第6章 从模型得到的结论	第49-50页
第7章 总结	第50-51页
致谢	第51-52页
参考文献	第52-57页
附录	第57页