基于标准CMOS工艺的纯逻辑非挥发性存储器关键技术研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·课题背景 | 第10-11页 |
| ·课题研究意义 | 第11-12页 |
| ·论文的主要内容和结构安排 | 第12-14页 |
| 第二章 超高频无源标签性能与存储器功耗关系 | 第14-17页 |
| ·标签识别距离与功耗的关系 | 第14-16页 |
| ·本章小结 | 第16-17页 |
| 第三章 非挥发性存储器原理研究与分析 | 第17-32页 |
| ·NVM 概述 | 第17-19页 |
| ·只读存储器原理介绍 | 第19-27页 |
| ·掩膜只读存储器（ROM） | 第20-21页 |
| ·可编程只读存储器（PROM) | 第21-23页 |
| ·可擦除可编程只读存储器（EPROM） | 第23页 |
| ·EEPROM | 第23-25页 |
| ·Flash | 第25-27页 |
| ·RRAM | 第27-28页 |
| ·铁电存储器 | 第28页 |
| ·纯逻辑 NVM | 第28-30页 |
| ·几种非挥发性存储器比较 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 MTP 存储单元与阵列设计 | 第32-41页 |
| ·MTP 存储单元原理设计与分析 | 第32-38页 |
| ·双向遂穿存储器单元 | 第32-36页 |
| ·MTP 存储单元 | 第36-38页 |
| ·MTP 存储阵列设计 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第五章 纯逻辑 MTP 存储器电路设计 | 第41-64页 |
| ·MTP 存储器芯片系统架构设计 | 第41-42页 |
| ·译码电路设计 | 第42-44页 |
| ·行译码电路设计 | 第42-44页 |
| ·列译码电路设计 | 第44页 |
| ·电平转换电路设计 | 第44-45页 |
| ·高压管理单元设计 | 第45-62页 |
| ·存储器编程低功耗设计方法 | 第46-47页 |
| ·低压高效倍压电路设计 | 第47-51页 |
| ·电荷泵电路设计 | 第51-59页 |
| ·高压检测电路设计 | 第59-60页 |
| ·分压处理电路设计 | 第60-61页 |
| ·高压管理单元整体仿真结果 | 第61-62页 |
| ·灵敏放大器设计 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 存储器功能仿真 | 第64-71页 |
| ·MTP 存储器总体特性 | 第64-67页 |
| ·MTP 读功能仿真 | 第67-68页 |
| ·MTP 编程功能仿真 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第七章 总结与展望 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 附录 | 第77页 |
