磁控共溅射制备无氢碳化锗薄膜的结构和性能研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-15页 |
| 第1章 绪论 | 第15-37页 |
| ·课题研究背景 | 第15-16页 |
| ·碳化锗的制备方法 | 第16-20页 |
| ·活性反应蒸镀法 | 第16页 |
| ·离子注入法 | 第16-17页 |
| ·反应磁控溅射法 | 第17页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积法 | 第17-18页 |
| ·热丝化学气相沉积法 | 第18页 |
| ·分子束外延法 | 第18-19页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第19页 |
| ·磁控共溅射法 | 第19-20页 |
| ·碳化锗薄膜概述 | 第20-33页 |
| ·碳化锗薄膜的结构特点 | 第20-24页 |
| ·碳化锗薄膜的力学性能 | 第24-27页 |
| ·碳化锗薄膜的热稳定性 | 第27-28页 |
| ·碳化锗薄膜的光学特性 | 第28-31页 |
| ·碳化锗薄膜的电学特性 | 第31-33页 |
| ·碳化锗薄膜的应用 | 第33-34页 |
| ·大面积均匀沉积技术 | 第34-35页 |
| ·本文主要研究内容 | 第35-37页 |
| 第2章 材料制备及实验方法 | 第37-44页 |
| ·实验的设计 | 第37-38页 |
| ·碳化锗薄膜的制备 | 第38-40页 |
| ·薄膜制备与表征所需材料 | 第38页 |
| ·磁控共溅射的工作原理 | 第38-39页 |
| ·实验条件及工艺过程 | 第39-40页 |
| ·薄膜表征与测试方法 | 第40-44页 |
| ·薄膜结构表征 | 第40-42页 |
| ·薄膜力学性能测试 | 第42-43页 |
| ·薄膜热稳定性表征 | 第43页 |
| ·薄膜光学性能表征 | 第43页 |
| ·薄膜电学性能测试 | 第43-44页 |
| 第3章 碳化锗薄膜的结构分析 | 第44-71页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·薄膜沉积速率 | 第44-46页 |
| ·功率对沉积速率的影响 | 第44-45页 |
| ·衬底温度对沉积速率的影响 | 第45-46页 |
| ·表面形貌 | 第46-48页 |
| ·晶态结构 | 第48-49页 |
| ·组分分析 | 第49-52页 |
| ·XPS 定量分析 | 第49-51页 |
| ·沉积条件对薄膜成分的影响 | 第51-52页 |
| ·键合结构 | 第52-68页 |
| ·碳化锗薄膜的 FTIR 光谱 | 第52-56页 |
| ·碳化锗薄膜的 Raman 光谱 | 第56-64页 |
| ·碳化锗薄膜的 X 射线光电子谱 | 第64-68页 |
| ·成键机制和规律 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第4章 碳化锗薄膜的光学与电学性能研究 | 第71-94页 |
| ·引言 | 第71页 |
| ·薄膜密度 | 第71-76页 |
| ·可见光光学性质 | 第76-84页 |
| ·椭偏模型的建立 | 第77-79页 |
| ·光学常数 | 第79-81页 |
| ·光学带隙 | 第81-84页 |
| ·红外光学性质 | 第84-89页 |
| ·折射率 | 第84-87页 |
| ·红外透过率 | 第87-89页 |
| ·电学性质 | 第89-92页 |
| ·本章小结 | 第92-94页 |
| 第5章 碳化锗薄膜的力学性能及热稳定性研究 | 第94-108页 |
| ·引言 | 第94页 |
| ·硬度与杨氏模量 | 第94-97页 |
| ·残余应力 | 第97-101页 |
| ·应力的产生与计算 | 第97-99页 |
| ·实验结果 | 第99-101页 |
| ·热稳定性 | 第101-106页 |
| ·键合结构分析 | 第101-105页 |
| ·硬度变化 | 第105-106页 |
| ·本章小结 | 第106-108页 |
| 第6章 碳化锗薄膜的应用及大面积均匀沉积研究 | 第108-121页 |
| ·引言 | 第108页 |
| ·光伏应用 | 第108-110页 |
| ·红外光学应用 | 第110-112页 |
| ·大尺寸均匀薄膜沉积技术 | 第112-120页 |
| ·平面均匀薄膜沉积技术 | 第112-118页 |
| ·半球面均匀薄膜沉积技术 | 第118-120页 |
| ·本章小结 | 第120-121页 |
| 结论 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-136页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与其他成果 | 第136-139页 |
| 致谢 | 第139-140页 |
| 个人简历 | 第140页 |
