| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 引言 | 第8-12页 |
| ·碳化硅光电器件及其研发现状概述 | 第8-10页 |
| ·本论文的研究目的和内容 | 第10-12页 |
| ·本论文的研究目的 | 第10页 |
| ·本论文的研究内容 | 第10-12页 |
| 2 面向光电器件的碳化硅基外延材料 | 第12-24页 |
| ·相关材料的光吸收特性 | 第14-17页 |
| ·Si和3C-SiC材料的光吸收特性 | 第14-15页 |
| ·InN、GaP、InP、AlAs、GaAs和AlSb材料的光吸收特性 | 第15-17页 |
| ·ZnSe和CdTe材料的光吸收特性 | 第17页 |
| ·相关材料的晶格常数和晶格结构 | 第17-18页 |
| ·理论可选的材料及其在碳化硅上外延生长的可行性 | 第18-22页 |
| ·小结 | 第22-24页 |
| 3 碳化硅基光电二极管特性理论分析 | 第24-36页 |
| ·硅作为外延层材料的碳化硅基硅光电二极管特性 | 第26-31页 |
| ·不同施主缺陷能级位置对碳化硅基硅光电二极管光谱响应和反向漏电流的影响 | 第27-29页 |
| ·不同缺陷密度对碳化硅基硅光电二极管光谱响应和反向漏电流的影响 | 第29-30页 |
| ·不同施主界面态密度对碳化硅基硅光电二极管光谱响应和反向漏电流的影响 | 第30-31页 |
| ·3C-SIC作为外延材料的碳化硅基光电二极管特性 | 第31-32页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族相关材料作为外延层材料的碳化硅基光电二极管特性 | 第32-34页 |
| ·各种相关材料作为外延层材料的碳化硅基光电二极管特性比较 | 第34页 |
| ·小结 | 第34-36页 |
| 4 SI/6H-SIC异质结的光电特性 | 第36-42页 |
| ·实验结果 | 第37-38页 |
| ·理论分析 | 第38-41页 |
| ·界面态和外延层缺陷对异质结光响应谱的影响 | 第39-40页 |
| ·界面态和外延层缺陷对异质结反向漏电流的影响 | 第40-41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 5 碳化硅基光控器件的可行性分析 | 第42-46页 |
| ·硅作为碳化硅光控器件外延材料的可行性 | 第42页 |
| ·3C-SIC作为碳化硅光控器件外延材料的可行性 | 第42-43页 |
| ·SICGE作为碳化硅光控器件外延材料的可行性 | 第43页 |
| ·INGAN作为碳化硅光控器件外延材料的可行性 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-46页 |
| 6 结束语 | 第46-47页 |
| ·总结 | 第46页 |
| ·对以后工作的展望 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 附录 | 第50-52页 |
