| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-18页 |
| ·宽禁带半导体 | 第13-15页 |
| ·本论文的主要工作 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-18页 |
| 第二章 ZnO的性质、材料制备和研究现状 | 第18-37页 |
| ·ZnO的性质 | 第18-24页 |
| ·ZnO的品格结构 | 第18-20页 |
| ·ZnO薄膜紫外受激发射 | 第20-22页 |
| ·ZnO的透明导电特性 | 第22-23页 |
| ·ZnO的气敏特性 | 第23页 |
| ·ZnO的压敏特性 | 第23页 |
| ·ZnO的p-n结特性 | 第23-24页 |
| ·ZnO材料的制备 | 第24-29页 |
| ·溅射法(sputtering) | 第24页 |
| ·脉冲激光淀积(PLD)法 | 第24-25页 |
| ·分子束外延(Molecular Beam Epitaxy) | 第25-26页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第26-27页 |
| ·喷雾热解法(Spray Pyrolysis) | 第27-28页 |
| ·溶胶凝胶法(Sol-Gel) | 第28页 |
| ·原子层外延生长法(ALE) | 第28页 |
| ·蒸发法 | 第28-29页 |
| ·其它技术 | 第29页 |
| ·ZnO掺杂技术简介 | 第29-30页 |
| ·ZnO器件研究现状 | 第30-33页 |
| ·压电器件 | 第30-31页 |
| ·太阳能电池 | 第31页 |
| ·气敏元件 | 第31页 |
| ·压敏元件 | 第31-32页 |
| ·紫外探测器 | 第32页 |
| ·发光器件 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-37页 |
| 第三章 SiC的性质、材料制备和研究现状 | 第37-48页 |
| ·SiC的基本性质 | 第37-40页 |
| ·SiC的多型结构 | 第37-39页 |
| ·SiC的光学性质 | 第39页 |
| ·SiC的电学性质 | 第39-40页 |
| ·SiC的热稳定性 | 第40页 |
| ·SiC的化学性质 | 第40页 |
| ·SiC的掺杂 | 第40页 |
| ·SiC材料的制备 | 第40-43页 |
| ·SiC单晶生长 | 第41页 |
| ·SiC单晶缺陷 | 第41-42页 |
| ·SiC薄膜生长 | 第42-43页 |
| ·SiC薄膜缺陷 | 第43页 |
| ·SiC器件研究现状 | 第43-46页 |
| ·肖特基势垒二极管(SBD) | 第43-44页 |
| ·紫外光电器件 | 第44页 |
| ·功率MOSFET | 第44-45页 |
| ·异质结器件 | 第45页 |
| ·开关器件 | 第45页 |
| ·在微电子机械系统(MEMS)的应用 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第四章 Au/n-ZnO/Au MSM结构紫外增强光电探测器 | 第48-59页 |
| ·光电探测器理论 | 第48-52页 |
| ·光电导探测器 | 第49页 |
| ·光伏型探测器 | 第49-50页 |
| ·光电探测器的参数 | 第50-52页 |
| ·原型器件的制备 | 第52-53页 |
| ·样品测试与分析 | 第53-57页 |
| ·I-V特性 | 第53-54页 |
| ·C-V特性 | 第54页 |
| ·光电流特性 | 第54-56页 |
| ·光电导特性 | 第56页 |
| ·光生伏特效应 | 第56-57页 |
| ·器件照片 | 第57页 |
| ·结论和工作展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第五章 Au/n-4H-SiC肖特基紫外光电探测器 | 第59-69页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·原型器件的制备 | 第59-60页 |
| ·SiC肖特基紫外探测器基本原理 | 第60-61页 |
| ·样品测试与分析 | 第61-67页 |
| ·I-V特性 | 第61-62页 |
| ·C-V特性 | 第62页 |
| ·光谱响应特性 | 第62-63页 |
| ·光谱响应特性随偏压的变化 | 第63-65页 |
| ·光谱响应特性随温度的变化 | 第65页 |
| ·量子效率 | 第65页 |
| ·共阴双肖特基SiC紫外探测器 | 第65-66页 |
| ·器件照片 | 第66-67页 |
| ·结论和工作展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-69页 |
| 第六章 Au/n-ZnO/p-Si结构紫外增强光电三极管 | 第69-75页 |
| ·引言 | 第69页 |
| ·原型器件的制备 | 第69-70页 |
| ·样品测试与分析 | 第70-73页 |
| ·I-V特性 | 第70-71页 |
| ·光电流特性 | 第71-73页 |
| ·器件照片 | 第73页 |
| ·结论和工作展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-75页 |
| 第七章 Au/n-ZnO/p-SiC结构的紫外光电探测器 | 第75-82页 |
| ·引言 | 第75页 |
| ·原型器件的制备 | 第75-76页 |
| ·样品测试与分析 | 第76-80页 |
| ·I-V特性 | 第76-77页 |
| ·光电流特性 | 第77-79页 |
| ·光生功率及效率 | 第79页 |
| ·结电容特性 | 第79页 |
| ·器件照片 | 第79-80页 |
| ·结论和工作展望 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-82页 |
| 第八章 宽禁带半导体材料电阻率的测量:四探针测试仪 | 第82-108页 |
| ·引言 | 第82页 |
| ·四探针测量电阻率的基本原理 | 第82-92页 |
| ·四探针测量电阻率的基本方法 | 第83-86页 |
| ·常规四探针电阻率测量的基本原理 | 第86-88页 |
| ·四探针电阻率的准测条件分析 | 第88-91页 |
| ·测量电流对测量结果的影响和求最佳电流 | 第91-92页 |
| ·高阻抗四探针测试仪的硬件电路设计 | 第92-100页 |
| ·总体方案设计 | 第92页 |
| ·恒流源电路设计 | 第92-96页 |
| ·高阻抗数字电压表电路设计 | 第96-98页 |
| ·电源电路设计 | 第98-99页 |
| ·主板控制电路设计 | 第99-100页 |
| ·电路的可靠性问题 | 第100-104页 |
| ·常见的绝缘材料的性质及其比较 | 第100-102页 |
| ·泄露电流 | 第102页 |
| ·静电干扰和屏蔽 | 第102-104页 |
| ·高阻抗四探针测试仪的软件设计 | 第104-106页 |
| ·数字电压表程序流程 | 第104页 |
| ·主极控制单片机程序流程 | 第104-105页 |
| ·四探针自动量程的电流设置 | 第105-106页 |
| ·结论和工作展望 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-108页 |
| 第九章 总结 | 第108-111页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113页 |
