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ADS次临界度监测方法研究及启明星1#实验装置的数值模拟

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-8页
第一章 绪论第8-13页
   ·选题背景和意义第8-10页
   ·外源驱动次临界系统反应性测量方法的研究现状第10-11页
   ·论文主要研究工作第11-13页
第二章 加速器驱动次临界系统物理特性及反应性测量方法的理论研究第13-17页
   ·次临界系统反应性测量方法的理论研究第13-16页
   ·小结第16-17页
第三章 基于静态通量分布测量监测ADS次临界度的方法在ADS基准题中的可行性分析第17-30页
   ·ANISN、DOT4.2 程序简介第17-19页
     ·中子输运方程和离散坐标方法第17-18页
     ·ANISN 及DOT4.2 程序简介第18-19页
   ·新方法在ADS 基准题中的可行性研究第19-29页
     ·ADS 基准题描述第19-21页
     ·新方法在ADS 基准题中的静态可行性研究第21-24页
     ·新方法在ADS 基准题中的动态可行性研究第24-29页
   ·小结第29-30页
第四章 基于通量分布测量测定ADS 次临界度的方法在启明星1#装置中的可行性研究第30-40页
   ·蒙特卡罗方法和MCNP/4C 程序简介第30-34页
     ·蒙特卡罗方法简介第30-31页
     ·蒙特卡罗程序MCNP 简介第31-34页
   ·启明星1#实验装置简介[25,26]第34-36页
   ·针对启明星1#装置的方法可行性研究第36-39页
   ·小结第39-40页
第五章 启明星1#实验装置物理特性研究和实验数据分析第40-55页
   ·ADS 装置启明星1#物理特性的研究第40-47页
     ·有效缓发中子份额第40-43页
     ·瞬发中子衰减特性的研究第43-47页
   ·“启明星”1#物理实验结果分析第47-54页
     ·瞬发中子衰减常数实验分析第47-50页
     ·临界外推实验分析第50-54页
   ·小结第54-55页
第六章 总结和建议第55-56页
参考文献第56-58页
附录Ⅰ ANISN 输入卡片之一第58-60页
附录Ⅱ DOT4.2 输入卡片之一第60-63页
附录Ⅲ 启明星1#实验装置MCNP 数值模拟时输入文件第63-69页
附录Ⅳ 启明星1#实验装置各区材料成份表第69-71页
致谢第71-72页
攻读学位期间发表的学术论文目录第72-74页

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